低压带隙提高PSRR的方法

baolj463 · 发表于 2022-3-28 15:30:09

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求助，低压全MOS结构有没有提高低频PSRR的方法，电源电压是0.5V，

这个原理是利用电流相减模式，提高了线性度，最终产生的电流几乎不随VDD的变化而变化。衬底驱动获得二阶补偿的温度曲线，100HZ时的PSRR为-50dB。

wjx197733 · 发表于 2022-3-28 20:02:21

楼主有这个图片的论文吗？

baolj463 · 发表于 2022-3-28 20:23:13

wjx197733 发表于 2022-3-28 20:02
楼主有这个图片的论文吗？

A 0.45 V, Nano-Watt 0.033% Line Sensitivity
MOSFET-Only Sub-Threshold Voltage
Reference With no Amplifiers

peterlin2010 · 发表于 2022-3-28 22:59:28

baolj463 发表于 2022-3-28 20:23
A 0.45 V, Nano-Watt 0.033% Line Sensitivity
MOSFET-Only Sub-Threshold Voltage
Reference With no Am ...

LOOK

0.45 V Nano-WattMOSFET-Only Sub-Threshold Voltage Reference With no Amplifiers.pdf (1.44 MB , 下载次数: 11 )

baolj463 · 发表于 2022-3-29 09:19:47

peterlin2010 发表于 2022-3-28 22:59
LOOK

有啥好的点子嘛来提高PSRR

peterlin2010 · 发表于 2022-3-29 22:04:14

baolj463 发表于 2022-3-29 09:19
有啥好的点子嘛来提高PSRR

办法要自己想阿 . 自己想阿.

低压因为不能做串级,

但是要提高PSRR 最好就是 cascode + long channel device ..

那该如何?

就是低压先charge Pump 拉高阿. 再用 cascode

不过 0.5V 该不会RFID 类电路?? 没碰过低于 2v 电路. 我都做很老工艺碰不上先进.

45621 · 发表于 2022-4-3 21:47:05

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