SMIC18 MIM电容CC寄生特别大（pF量级）是什么原因？

kelpait

如题，最近在做后仿，用的是SMIC018工艺，在提取MIM电容的寄生电容的时候，发现耦合电容（CC）提出来的值特别大。如一个1.65pF的MIM电容，提取出来的寄生电容有0.77pF。这是什么原因导致的呢？感觉不应该是这样的，是重复提取了吗？我后仿用calibreveiw的形式和网表spectre的形式提取得到的CC都是这么大？我用同样的后仿设置提取SMIC013工艺的MIM电容发现CC才几十fF，远低于用SMIC018提取的。难道是SMIC018的rules的问题？或者另外一个猜想是不是和MIM电容的type有关？我装PDK的时候是把MIM电容装在了M4和M3之间，但是调用出来的MIM电容和其他工艺的MIM电容有点奇怪，如下图：M4只有小小的一长条。是这个原因导致的吗？求各位大佬解答，不甚感激。

l263210280

SMIC有时要求MIM和MOM电容用gate level 提取寄生
transistor level 提取的CC很大  不能用

kelpait

l263210280 发表于 2022-3-16 08:43
SMIC有时要求MIM和MOM电容用gate level 提取寄生
transistor level 提取的CC很大  不能用

我尝试用您说的gate level的方式去提取，发现确实小很多，比较正常。我重新查看了手册，发现里面说到“for hierarchical and hybrid flow，Gate level should be chosen”，没太理解这句话的含义，麻烦前辈指教，一般什么情况下选择gate什么情况选择transistor呢？

l263210280

kelpait 发表于 2022-3-16 10:09
我尝试用您说的gate level的方式去提取，发现确实小很多，比较正常。我重新查看了手册，发现里面说到“fo ...

这句话大概的意思是，进行层次化抽取时，建议用gate level。层次化的意思是你抽取的网表，跟你schematic各个模块一一对应。与层次化相对的概念是flatten，也就是你抽取的网表直接由管子电阻电容组成，没有subckt，你也找不到schematic对应的模块。

我个人感觉，具体用哪个level，跟工艺厂商的要求或具体工艺制程有关。比如TSMC有些工艺就没有要求，用transistor抽取出来的CC也是合理值，这能说具体工艺具体分析。