真关断boost中SW过冲过高如何解决

flag易

现象：在做带真关断功能的boost时发现在SW端有很高的过冲，输出5V带重载时过冲达到近11V，此时发生漏电，触发保护并无法再带重载。


分析：
分析漏电的原因，猜测是当SW过冲很高时，P_channel漏端的纵向寄生PNP(P+ diff、N- well、P- sub)这里发生了漏电。
分析SW过冲很高的原因，在于衬底切换中Bulk与OUT相接的管子不够大，当额定输出较高、带重载大电流时死区时SW的过冲很高。

请教如此分析是否有误、分析是否完善。

看别人分析了解决方法：
衬底直接接Vout——测试外接肖特基确实能起到作用，但真关断的功能就不存在了；
增加开关管的开启关断时间——会使效率下降，这个只能权衡了；

当SW过冲超过OUT时，P_channel的栅极电位与OUT近似，衬底电位比SW低一个体二极管压差，此时P_channel会微导通。尝试在最后一级驱动并联一个NMOS和电阻，可否通过检测SW的电压来控制P_channel在死区时导通来限制SW的过冲，这样的方法会不会带来其它的问题。
亦或者前辈们有什么更好的方法，还请不吝赐教不胜感激。

flag易

自查：SW过冲是由于死区时走体二极管续流的正常现象，但boost输出电流并不连续，如果打线寄生电感过大，会导致过冲过于大，引起不良影响。解决，多打跟线能解决此问题