拉扎维书上带隙基准的一个小问题求助

杨梅

如图所示，这个是拉扎维书上用CMOS工艺实现双极晶体管的那部分，图一中的N阱构成了PNP晶体管的基极，可是为什么在电路图上体现的时候。要接地呢？
不太明白，希望大家可以帮忙解答一下，谢谢大家

莫莘辛宇

n阱工艺做出来的npn管，npn管基极为p衬底只能接地，作为带隙基准产生的电路时，npn管发射极已然接地（Vbe=0），显然用不了，所以选择利用nwell来做pnp管，pnp管的基极是nwell，可以很灵活接其他电平，在这里接地是因为带隙基准产生需要Vbe和deltaVbe，这是电路功能结构需要的，不是说nwell中的pnp管本身直接需要接地。细细品品带隙电压的产生机制，具体功能一定要求一定的电路实现，要用联系的观点看问题。

xszhu

楼主问的问题挺有意思的，也比较有深度。
带隙基准也是一步一步探索出来的，设计的比较巧妙。
首先发现Vbe是负温度系数，detaVbe又是正温度系数，然后为了达到0温度系数，设计比例系数进行加权。
带隙基准的原理相关的就是Vbe、detaVbe，
（1）采用PNP，是为了兼容CMOS工艺，COMS工艺Psub是接地的，就变成Veb，
（2）之所以Vb为什么接地，原理上讲，接一个比Ve小的理想基准电平就可以了，但是本身就是产生基准电平的，所以排除产生的基准电平，只剩下地。同样的Vc为什么接地，就是不接地，得接一个理想电平，有理想电平就不需要带隙基准了。
（3）PNP的二极管接法，表现出来的特性也是二极管的电气特性，为什么不直接换成二极管呢，还是跟工艺有关系，在版图中二极管PN结正偏，Psub又是接地，本身就是寄生的PNP，而且PNP三端比二极管的接法变化多。比如串联几个vbe。

杨梅

xszhu 发表于 2022-1-23 17:45
楼主问的问题挺有意思的，也比较有深度。
带隙基准也是一步一步探索出来的，设计的比较巧妙。
首先发现Vbe ...

说的很明白，感谢感谢