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查看: 2154|回复: 4

[求助] 工艺ULP与ULP eFlash的区别

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发表于 2022-1-18 15:15:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问一下ULP与ULP eFlash这两种工艺有什么区别?
发表于 2022-1-18 15:22:07 | 显示全部楼层
简单的可以理解,eFlash ULP的工艺,Flash IP可以做到Chip内部,但是单纯ULP的工艺不可以把Flash IP做到chip内部。
 楼主| 发表于 2022-1-18 15:33:50 | 显示全部楼层


Lover_Momo 发表于 2022-1-18 15:22
简单的可以理解,eFlash ULP的工艺,Flash IP可以做到Chip内部,但是单纯ULP的工艺不可以把Flash IP做到chi ...


一个非FLASH 的IP是LP工艺,其他数字逻辑用LP eFlash工艺库,可以merge在一起生成吗?

发表于 2022-1-18 15:39:58 | 显示全部楼层
通常情况下是不行的,因为两者的spice mode(这个涉及到时序) & drc/lvs rule(这个就是物理特性参数来)是不一样的。非Flash IP不一定能过Falsh的Rule。
发表于 2022-4-27 12:24:21 | 显示全部楼层


52927605@qq.com 发表于 2022-1-18 15:33
一个非FLASH 的IP是LP工艺,其他数字逻辑用LP eFlash工艺库,可以merge在一起生成吗?

...


我认为没有问题,flash工艺只有RPO层不一样,因为涉及可靠性,如果flash工艺没有用到nvm器件,其它器件的model应该是一样的。
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