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[求助] cmos LNA比SiGe LNA,噪声系数要恶化多少啊?

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发表于 2022-1-14 12:12:13 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1GHz以下。
发表于 2022-1-14 15:12:27 | 显示全部楼层
你把两个手册的NF对比一下就知道了,好一点的sige工艺可以做到0.4dB  CMOS可以做到0.6dB,但是做到极致的时候,别的因素往往会影响比较多。
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 楼主| 发表于 2022-1-14 15:39:27 | 显示全部楼层


   
shr673699231 发表于 2022-1-14 15:12
你把两个手册的NF对比一下就知道了,好一点的sige工艺可以做到0.4dB  CMOS可以做到0.6dB,但是做到极致的时 ...


谢谢!


cmos的LNA,噪声系数做到0.6 ? 厉害啊。


请问,有你说的cmos LNA 0.6db的参考论文吗?

需要外置电感?


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发表于 2022-1-14 18:09:22 | 显示全部楼层


就传统的cascode结构。。。外置高Q值电感
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 楼主| 发表于 2022-1-15 17:08:06 | 显示全部楼层


   
shr673699231 发表于 2022-1-14 18:09
就传统的cascode结构。。。外置高Q值电感


那cmos LNA的外置电感,岂不是需要两个?

一个是cascode结构需要的,还有一个,是input matching需要的?


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发表于 2022-2-21 17:46:03 | 显示全部楼层


   
orientview 发表于 2022-1-15 17:08
那cmos LNA的外置电感,岂不是需要两个?

一个是cascode结构需要的,还有一个,是input matching需要的 ...


一个就行啊,就输入的Lg电感,Ls跟Ld片上实现,1GHz以下做到.18工艺还是很容易做到0.6~0.8dB的
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 楼主| 发表于 2022-2-22 09:26:22 | 显示全部楼层


   
522526tl 发表于 2022-2-21 17:46
一个就行啊,就输入的Lg电感,Ls跟Ld片上实现,1GHz以下做到.18工艺还是很容易做到0.6~0.8dB的
...


P1dB,OIP3,这些指标,cmos LNA可以赶上GaAs LNA吗?
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发表于 2022-2-22 17:48:01 | 显示全部楼层


   
orientview 发表于 2022-2-22 09:26
P1dB,OIP3,这些指标,cmos LNA可以赶上GaAs LNA吗?


CMOS的赶不上,GaAs即使Lg做到片内,NF都很好,他的高阻衬底使得他的无源器件Q值都很高,而且GaAs本身耐压是强于CMOS的,线性度CMOS比不上GaAs
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 楼主| 发表于 2022-2-22 18:26:09 | 显示全部楼层


   
522526tl 发表于 2022-2-22 17:48
CMOS的赶不上,GaAs即使Lg做到片内,NF都很好,他的高阻衬底使得他的无源器件Q值都很高,而且GaAs本身耐 ...


那有啥办法来改善cmos LNA的线性度呢?
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发表于 2022-2-23 10:29:23 | 显示全部楼层


   
orientview 发表于 2022-2-22 18:26
那有啥办法来改善cmos LNA的线性度呢?


你把你的指标都贴上来看看
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