IO版图 DRC Double guard ring should be used to sorround

蛋zizi

Double guard ring should be used to sorround 5V N/MOS connected to I/O pad double guard ring defintion
for NMOS ,double guard ring includes P+ pickup (tied to vss ) and N+ in NW (tied to Vdd)
for NMOS ,double guard ring includes N+ pickup (tied to vss ) and P+ in PW (tied to Vdd)
smic180
原版IO ESD MOS 也没有double guard ring

wmd201409

ESD MOS和core MOS是不太一样的，core MOS的抗压能力和泄放能力是比不上ESD MOS的，毕竟ESD MOS至少是有SAB 和超大的W值的，所以为了防止连接到 IO上的core MOS被击穿，一般工艺都是要求 double ring 的

蛋zizi

谢谢回答 是我没有说清楚
ESM MOS 用的正确 有SAB层 该有的层也都有 我现在怀疑 环的问题
检测了一边 所有环都链接了电源 ERC可以通过的  
所以现在不知道该如何排查问题了   
希望大家看看 有什么地方可能会造成这个问题 下一步应该 如何检查  

蛋zizi

我没有解释清楚
ESM MOS 用的正确 带有SAB层
该有的层也都有  
所以我现在怀疑是环链接问题  检查了下所有环都有电位 ERC是可以通过的
所以下一步应该检查排除什么地方  没有头绪了  
希望有想法的朋友提醒一下  

viewteck

Lutchup 考虑，跟ESD没啥关系吧

maomao198477

如果是是原厂的 就不要动了

蛋zizi

maomao198477 发表于 2022-1-13 17:44
如果是是原厂的 就不要动了

不是原厂  我们调整了pad形状 自己画的
原厂没有报这个问题 我们自己画的报了