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[求助] 差动放大器的电源抑制问题

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发表于 2021-12-30 15:25:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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拉扎维第二版第五章里比较了有源电流镜和全差动放大器对电源抑制能力的比较,我不太明白下图里面差动放大器的VDD波动△V,Vx和Vy变化为啥也是△V
image.png
 楼主| 发表于 2021-12-30 15:27:32 | 显示全部楼层
VDD波动,PMOS会对应产生一个小电流,后面就想不太明白了
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发表于 2021-12-30 17:06:41 | 显示全部楼层
应该是因为尾电流吧,既然电流不能增加,Vxy只有跟着变化了
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发表于 2021-12-30 17:47:28 | 显示全部楼层
这是拉扎维第二版P145的问题,您看一下是不是这样:
首先在5.3.4的第一段提到,在图5.42(a)中,VDD变化,讲M1看成具有高输出阻抗的恒流源,则VGS3必须保持相对恒定,因此dVF约等于dVDD(没找到delt标志,此处用d代替),由于两边对称,则VX即VOUT变化量也为dVDD;
以此为基础,看图5.42(b),VDD变化,IB为具有高输出阻抗的恒流源,则VGS5必须保持相对恒定,因此M5的漏端变化量也为dVDD,对称原因同上,VX,VY变化量都为dVDD。
如有错误还请指正。
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 楼主| 发表于 2021-12-30 23:39:06 | 显示全部楼层


   
kgdvfhpfss 发表于 2021-12-30 17:06
应该是因为尾电流吧,既然电流不能增加,Vxy只有跟着变化了


可以详细说说吗
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 楼主| 发表于 2021-12-30 23:44:49 | 显示全部楼层
本帖最后由 hyyyhh 于 2021-12-31 00:09 编辑


   
nicklovesjudy 发表于 2021-12-30 17:47
这是拉扎维第二版P145的问题,您看一下是不是这样:
首先在5.3.4的第一段提到,在图5.42(a)中,VDD变化,讲 ...


感谢大佬从电流镜匹配的角度考虑。这是我从图C结合书上说的理解:电流源ISS也应该是一个NMOS电流源,在半边电路和M1、M2并联等效的晶体管(M1+M2)构成了一个casecode结构,从(M1+M2)漏看进去的对地电阻远大于(M3+M4)。按电阻分压△V绝大部分落在casecode结构上。
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发表于 2022-1-4 13:38:15 | 显示全部楼层
下面看成高阻抗的电流镜,电流保持不变,上面的M3+M4的电流就是不变得,小信号阻抗也是不变的,那输出只能跟随VDD变化。
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