求助工艺角仿真对LDO输出电压影响较大，求提供解决思路

202021059593 · 发表于 2021-12-28 22:42:13

RT
目前仿真一个简单的FVF-LDO，但是遇到个问题corner仿真对与输出电压影响很大，想请教下这个是什么原因，有没有解决思路或者办法，工艺库是TSMC65NM
谢谢~

原理图

上面是原理图，下面是输出~

出来打篮球 · 发表于 2021-12-29 09:02:44

你这开环影响肯定大，所有管子一起漂。1. 试试闭环共模反馈；2. 用bandgap做电流源偏置

不负时光 · 发表于 2021-12-29 09:07:26

看不懂架构

nanke · 发表于 2021-12-29 09:24:11

你这差的确实有点多，电路不是这样的，你给固定bias扫corner怎么回事，这些bias都是用基准产生pvt无关的电压吗。
source follower vg不该接固定电压，因vgs随PVT变化必然很大，也不能带大负载，负载也影响vgs。
vg应该由电路生成

202021059593 · 发表于 2021-12-29 10:00:26

nanke 发表于 2021-12-29 09:24
你这差的确实有点多，电路不是这样的，你给固定bias扫corner怎么回事，这些bias都是用基准产生pvt无关的电 ...

好的，谢谢提供思路，我试一下用基准产生vg

nanke · 发表于 2021-12-29 10:06:30

202021059593 发表于 2021-12-29 10:00
好的，谢谢提供思路，我试一下用基准产生vg

不是，source follower vg 应该=vo-vgs，可以用闭环的反馈或者开环的replica

202021059593 · 发表于 2021-12-29 10:15:30

nanke 发表于 2021-12-29 10:06
不是，source follower vg 应该=vo-vgs，可以用闭环的反馈或者开环的replica

怎么理解，可以具体点吗？这个结构就是个闭环的负反馈结构的

gtfei · 发表于 2021-12-29 11:57:56

没看懂这个电路为什么不用差分输入对管的运放呢？ VGB什么的先放一放不用上，光是这个电路看着就有点问题

looksky34 · 发表于 2021-12-29 18:08:41

这个vout就是等于vbais2+M0的vgs,vgs在corner下变化几百mv很正常

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