ESD的N二极管和P二极管的doublering顺序是怎么样围的？

To70rO · 发表于 2021-12-10 16:01:22

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如题

最爱吃饺子 · 发表于 2022-2-21 10:00:37

低压和中压需要围两层ring，高压围一层，我是这样理解的

To70rO · 发表于 2022-2-21 11:11:29

最爱吃饺子发表于 2022-2-21 10:00
低压和中压需要围两层ring，高压围一层，我是这样理解的

ESD二极管的doublering里面围pick ring 外面围ground ring，如果只用一个ring，则围pick ring 增大衬底接触面积

level90 · 发表于 2022-2-21 16:20:43

P+DIO
主体部分是P+AA （PLUS端）
第一圈N+pickup (MINUS端) <= 一般和主体同width or略小
第二圈P+ring（具体接哪个地根据不同要求来）

N+DIO
照着P+DIO各级反一下。。。

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