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[原创] Cadence617中如何测试晶体管饱和状态下的参数

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发表于 2021-12-8 21:29:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
10资产
0.18工艺,在晶体管饱和状态下,栅电压1.8V,漏电压1.8v,想测试NMOS管的uC的值,修改宽敞比在之后得出的uC值有很大变化,这是怎么一回事?如何测试晶体管饱和状态下uC,希望有大佬教学一下。万分感谢。

发表于 2021-12-9 09:31:41 | 显示全部楼层
看是否管子依然工作在饱和状态。
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 楼主| 发表于 2021-12-9 17:25:48 | 显示全部楼层


xgdky2010 发表于 2021-12-9 09:31
看是否管子依然工作在饱和状态。


依然工作在饱和状态,但是阈值电压似乎改变了,是不是因为我改变了L的原因。
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发表于 2021-12-10 09:43:51 | 显示全部楼层


lyn960923 发表于 2021-12-9 17:25
依然工作在饱和状态,但是阈值电压似乎改变了,是不是因为我改变了L的原因。 ...


应该是的
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 楼主| 发表于 2021-12-10 14:47:18 | 显示全部楼层


好的谢了
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