CMOS图像传感器系列 - 2 一些必要预备知识

feynmancgz · 发表于 2023-6-10 06:19:52

ToCherished 发表于 2023-2-22 17:47
继续支持，一口气看完。
这里有几个疑问，楼主有空帮忙答疑一下，感谢！
1：表面反射部分或者没有打到PD的 ...

1：表面反射部分或者没有打到PD的是有个内外量子效率和总量子效率的概念吧，外部提高FillFactor。。。。内量子就和所提到这个材料有关，理解对吗？
可以这么说吧。external QE （外部QE）= internal QE (内部QE）x Fill factor
2：量子效率这次又加深了理解，原来忽略厚度这个概念，只知道NIR外走需要更厚的epi，只要够厚最后光子都能被吸收100%，只是做激发电子还是声子或其他...
够厚都能被吸收。能不能最终在PPD里存下来是关键，recombine了就没用了
3：以前对量子效率，激发几率的差异弄混，因为有个爱因斯坦系数（受激辐射与N无关只与原子本身性质决定），这部分搞混了（可能是对单原子来说？）
这是问题，还是陈述？
4：关于1个光子产生多个电子的理解有误差，正常跃迁是光子声子电子的，产生多个可以理解成电子或者热能或其它动能再激发出了新的电子，然后统计出来就会>1 可以这样说么
光子被电子吸收后，多出禁带的能量会变成电子的动能，这些带动能的电子就有概率轰出二级电子