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[原创] ESD静电防护设计

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发表于 2021-11-15 10:29:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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使用二极管作为ESD防护器件,ESD电压正,负电压过来时,总有二极管正向导通,那么就不会有雪崩击穿和二次击穿?
发表于 2021-11-15 10:43:47 | 显示全部楼层
正向导通DIO取得太小,泄放电流达不到要求,电压就会上升,击穿反向二极管
 楼主| 发表于 2021-11-15 11:22:58 | 显示全部楼层


gtfei 发表于 2021-11-15 10:43
正向导通DIO取得太小,泄放电流达不到要求,电压就会上升,击穿反向二极管 ...


明白了。谢谢
 楼主| 发表于 2021-11-15 11:26:18 | 显示全部楼层


如果尺寸合适,那么持续增加ESD电压,正向二极管电流也会增大,当增大到一定数值时,二极管会烧坏,那么是反向二极管先击穿还是正向二极管先烧坏?
发表于 2021-11-15 11:50:52 | 显示全部楼层


IC2019 发表于 2021-11-15 11:26
如果尺寸合适,那么持续增加ESD电压,正向二极管电流也会增大,当增大到一定数值时,二极管会烧坏,那么 ...


我目前接受到的案例多是在正向二极管烧坏前,内部保护器件早就糊了。
也有正/反向二极管都没坏,内部器件也糊了的情况。
你要知道,内部器件相对ESD DIO脆弱多了,对于你的问题,个人觉得反向二极管更不容易坏,毕竟有个正向的撑着;反向的击穿电压比较高,相对没那么容易坏。

发表于 2021-11-15 12:39:21 | 显示全部楼层
一般都是用二极管反向击穿特性来泄放大的电流
发表于 2021-11-15 12:42:23 | 显示全部楼层
:):)
发表于 2021-12-8 10:42:45 | 显示全部楼层
:D
发表于 2021-12-8 23:24:05 | 显示全部楼层
学习到了!!!
发表于 2022-7-21 14:40:42 | 显示全部楼层


IC2019 发表于 2021-11-15 11:26
如果尺寸合适,那么持续增加ESD电压,正向二极管电流也会增大,当增大到一定数值时,二极管会烧坏,那么 ...


必然是VBR端先击穿,VF端能承受的最大电压一般和VBR端承受的最大电压不会差太多
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