电容阵列的分段和采用的开关切换时序有关系嘛？

lucky_yue

1.如果采用单调电容开关切换时序，给电容阵列分段，例如12bit的SAR ADC，MSB设M位，LSB设L位，那么M+L应该是12还是11呢？求大佬指教。
2.分段电容阵列加了桥接电容之后，需要在MSB和LSB分别加补偿电容，如果分段电容阵列中结合非二进制冗余和二进制补偿，由电容分段引入的补偿还需要加嘛？
我可能没说清楚我的问题，还请大佬们分享一下分段电容结合冗余的电容阵列设计的资料，或者分享一下大佬们的设计经验，球球救救我这个菜鸟吧，万分感谢！！！

yeuhern0328

1. M+L=12, 是bottom-plate sampling, M+L=11是top-plate sampling, 端看你用哪種sampling方式
2. split cap array + bridge cap, 其中再搭配non-binary redundant bit compensation,
你應該要去計算你redundant bit的補償量,
才能決定你split cap的補償電容要加多少或是不需要加

Ref: A 12b 50MS/s 2.1mW SAR ADC with Redundancyand Digital Background Calibration
稍微瀏覽了一下, 上面這篇文章應該能稍微緩解你的燃眉之急

quantus

问题1,2楼的回答比较清楚了。问题2分三种情况：
1, 两个阵列都加
2, LSB加
3, MSB加
如果是二进制的，建议两边都加。如果是非2进制的，要看你是怎么从非二转成二进制的。如果是带背景校正的，那么加不加无所。但是设计正反两次转换的，还是建议都加。最简单直观的方式就自己搭一个模型看看实际加与不加的效果。

lucky_yue

   

quantus 发表于 2021-10-19 02:21
问题1,2楼的回答比较清楚了。问题2分三种情况：
1, 两个阵列都加
2, LSB加

请问LSB，MSB计算加多少补偿电容，有学习资料或者比较好的论文推荐嘛?我看的论文里面的推导都是一笔带过，我太菜了没看懂

lucky_yue

   

quantus 发表于 2021-10-19 02:21
问题1,2楼的回答比较清楚了。问题2分三种情况：
1, 两个阵列都加
2, LSB加

还想问一下，设计正反两次转换是什么意思呀？求大佬指点