tsmc 28n fill填充问题

Roysunal · 发表于 2021-10-14 15:22:45

最近用tsmc 28n做了几个小lab，因为第一次用，在插fill时发现没有1site的fill，通过set_lib_cell_spacing_label -names {left_gap_rule right_gap_rule} -right_lib_cells */* -left_lib_cells */* set_spacing_label_rule -labels {left_gap_rule right_gap_rule} {1 1}，但后面填充时还是有问题，求做过的大佬指教

zhh124 · 发表于 2021-10-14 15:22:46

关断区不也是普通std cell吗，一样加普通的tap就行吧。 tap tvdd，这个看起来是header cell的tap，不过应该也不用专门为header 加这种tap，因为header也是放在row里的，不过如果不在std cell 区域，当成macro来用的话，那就要加这种tap

Roysunal · 发表于 2021-10-14 16:15:00

还有tap cell问题，我在cg库里发现了TAPCELL_TVSSBWP40P140，在cgcw库里发现TAPCELLBWP40P140_TVDD，这两个在设计时分别都要加嘛，第一次遇到，求大佬解答呀！

Roysunal · 发表于 2021-10-14 20:46:18

大佬们

lzqxiang · 发表于 2021-10-15 14:08:34

你是哪个工具？innovus可以设置cell的最小间距set_place_mode -place_detail_legalization_inst_gap 2，这样最小间距就是2倍的site，就不用fill1，（另外，就算有间距好像也不会有DRC问题，验证一下）

zhh124 · 发表于 2021-10-15 16:33:33

cg库是low power设计用的，包含power switch， level shifter， isolation cell 这些，应该不是加这里的TAP，一般都是加正常std cell 库里的cell，如何加，一是去找相关文档，二是自己在virtuoso里调几个cell，自己跑drc检查。TAP是用于连接psub， nwell，和PG stripe的

moqqcn · 发表于 2021-10-17 15:00:55

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Roysunal · 发表于 2021-10-17 20:39:35

lzqxiang 发表于 2021-10-15 14:08
你是哪个工具？innovus可以设置cell的最小间距set_place_mode -place_detail_legalization_inst_gap 2，这 ...

我是icc，我上面也用了类似命令，但是好像不行，没有DRC问题吗？？那我明天试试！

Roysunal · 发表于 2021-10-17 21:07:27

zhh124 发表于 2021-10-15 16:33
cg库是low power设计用的，包含power switch， level shifter， isolation cell 这些，应该不是加这里的TAP ...

我做的是低功耗设计的lab，常开域应该加普通的tap cell，我在hvt库找到了，可关断区域是不是要加tapcell_tvdd、tapcell_tvss，使可关断区域里的多电源cell的nw、衬底、pg rail连接？因为没有文档，所以我猜测的

Roysunal · 发表于 2021-10-19 20:20:25

zhh124 发表于 2021-10-19 09:42
关断区不也是普通std cell吗，一样加普通的tap就行吧。 tap tvdd，这个看起来是header cell的tap，不过应该 ...

关断区不是有一些LV REN这些常开逻辑cell嘛，我有个疑问就是，我可关断区下电了，里面会有sw、lv这些常开逻辑单元，这些是不能断电的，我会有常开域的电源接进去给它们供电，但是我关断区的tap没有常开域的电源接进去供电啊，那关断区下电后，里面的tap cell不就不能工作了吗，常开逻辑单元nw、衬底、vdd连接不也就出现问题了吗？谢谢！

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