noise问题

w.y.

请问管子在饱和区和线性区其噪声贡献分别怎么算呢

Smart°

以下是个人浅见，理解不到还请批评指正。
MOSFET的噪声一般可以分为两种：沟道热噪声和1/f噪声。先说沟道热噪声：沟道电阻会产生热噪声，工作在深线性区（vds<<2(vgs-vth)）的MOS管沟道未夹断，可以等效为一个线性电阻Rds0=1/(uCox(W/L)(Vgs-Vth))；饱和区沟道已夹断，各处电荷分布不均匀，只能等效划分n等份后求电阻。再说1/f噪声，简单来说是由栅氧化层中的缺陷引起的，1/f噪声强烈依赖于不用工艺所采用的栅氧化层材料，对于不同process，K值也会产生很大变化：i²1/f=(Kf*Id/L²*Cox)*δf/f，根据公式推导可知噪声电流正比于温度、1/Cox和1/L²。
当然不论器件工作在什么区域，噪声的原理不会变，噪声的公式模型不会变，变的只是公式内参数的量。比如4kT*gamma*gm*BW，短沟道和长沟道（gamma）不同，线性区和饱和区的gm不同。