ESD问题请教

shark1225 · 发表于 2021-10-11 20:45:31

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1，请教一下，ESD测试时候，一般会有MM,HBM都会测试，同一个测试，为什么HBM能过，MM过不了？对版图来说，它们两者之间侧重在哪里？谢谢

tjuzhjian · 发表于 2021-10-11 21:13:46

MM的放电电流比HBM要大，所以MM容易损坏芯片。版图上应该增大ESD器件尺寸，可以再增加一级diodes

shark1225 · 发表于 2021-10-12 09:12:49

tjuzhjian 发表于 2021-10-11 21:13
MM的放电电流比HBM要大，所以MM容易损坏芯片。版图上应该增大ESD器件尺寸，可以再增加一级diodes ...

谢谢，目前是同样的pad esd，内部接的电路也是一样的。上下的esd测试没有问题，就中间esd测试过不了250v？

tjuzhjian · 发表于 2021-10-12 21:04:39

中间esd测试是啥意思？

shark1225 · 发表于 2021-10-13 15:13:10

tjuzhjian 发表于 2021-10-12 21:04
中间esd测试是啥意思？

如上中下三个pad，用的是同样的esd结构（pndiode），它们三个pad分别对同一GND pad打正的esd测试，理论上电流通路路径都是先经过pdiode,再pclamp,然后到GND pad，但问题是，上下的pad esd测试的时候都过了,中间pad esd测试过不了？还有其它什么原因吗？

tjuzhjian · 发表于 2021-10-13 21:23:29

对同一个GND打ESD，那就涉及到距离问题，是不是有的pad距离gnd较近，那么ESD路径上的寄生电阻小，同样的，距离远的，寄生电阻大，就容易不过。所以，寄生电阻也很关键，需要对照版图去check

peterlin2010 · 发表于 2021-10-13 22:47:39

涉及到距离问题 +1 ..

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