NPT-IGBT的模型参数提取结果带入pspice中仿真发现与用来提取的数据对不上（henfer模型）

yqde

由于课题所需，本人使用medici仿真了一个NPT-IGBT的结构，仿真除了其在阳极电压固定，不同栅压下的关断电流随时间变化的曲线，以及不同栅压下的饱和特性曲线，以及不同栅压下的导通压降值，并按照henfer所著的论文，以及开发的INSTANT软件的论文中的方法，使用matlab编写代码提取出模型的参数，最后与电荷相关的提取步骤并未进行，但是由其提取出的参数好像对直流静态特性并无影响。目前所遇到的问题是将提取到的参数使用model editor编辑成为lib文件和olb文件，在Pspice中调用并对其进行了直流仿真，发现输出特性曲线的电流值要比我提取参数所用的medici仿真数据要大（各种栅压条件下都要比Medici仿真数据要大），我所提取到的Kpsat=0.60,Kplin=0.71,Area=0.1cm^2,NB=1E14,WB=48um,theta=0.007,Vt=3.47,thl(基区寿命)=1.97e-06s,Isne=1.60E-13.
我个人分析是Kpsat的提取出现了问题，但是我严格按照henfer论文中的提取方法进行，针对不同栅压情况下的输出特性曲线，先读取出各自的饱和电流值Isat,然后根据论文中的公式计算出Icss和Ibss，然后Bss=Icss/Ibss,这里需要注意的是我每个栅压下的饱和电流值肯定不同，所以在算出的不同栅压下的Bss值也不同，然后Imos=Isat/(1+Bss),然后画出sqrt(Imos)随栅压的变化曲线，斜率平方再乘以二就是Kpsat。
按公式算出Bss随栅压增加是降低的。sqrt(Imos)也与栅压呈线性关系，并没有发现哪里出错，但是将参数带入模型，再用spice仿真就会发现电流比我的medici数据要大。

我也考虑过是第一步基区寿命提取出现了问题，但是也是按照henfer模型中的做法做的，画出的图和henfer中的图样子是一样的。


因为整个参数提取工程量比较大，无法说的十分详细，如果网友需要了解一些具体的信息可以留贴，我会将问题更加明确。主要是想了解一下大家的思路，并不奢求完全解决，就大家觉得可能是哪边出问题了都可以讨论。

主要参考文献
Instant - IGBT Network Simulation and Transient Analysis Tool
An Experimentally Verified IGBT Model Implemented in the Saber Circuit Simulator

yqde

补充，我在提取Kpsat过程中，需要有一步是计算Bss， Bss=Icss/Ibss,其中Icss的计算中需要有效基区长度W  ,W=WB-Wbcj      Wbcj应该是跟阳极电压有关，我在Medici中仿真饱和电流特性时设置的阳极电压都为10V，Isat值也都是取到电压为10V时的电流值（栅压为5,6,7,8,9,10，并且在阳极电压为10V时都已饱和），所以这里的Wbcj是一致的，栅极电压应该不会对这个值产生影响吧，如果不会的话那我的做法应该是正确的，如果会的话那可能就错了。

yqde

补充，在计算有效漂移区长度时W=WB-sqrt(2*epsl*Vanode/(q*NB)),,计算时并没有考虑Vbi=0.7V，

dollarss

謝謝樓主無私分享寶貴經驗
真心學習了
謝謝

yqde

问题基本解决，使用的仿真软件中的henfer模型版本要跟提取参数的方法的版本是同一个，之前在PSPICE中的model editor不可以，换了saber中的模型发现可以拟合。