ESD损伤后，红外热源分析

lhlbluesky · 发表于 2021-9-30 18:13:09

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我有一个问题，芯片在ESD损伤后，如何通过红外热成像来定位损伤的位置？
红外图像中，发亮的区域一定是对应的损伤的器件位置吗？之所以，会出现发亮，是这个位置热量过高还是流过的电流过大？具体的发亮的原理是什么？
一般，都是在ESD损伤后，对损伤的芯片的VCC上电，直接观测热源位置，这样，测试环境不是和ESD测试环境不一样了吗？为何直接上电，就可以测出热源的位置？
之所以会有发亮的区域，是因为电流在那里流过还是什么原因，怎么发热的呢？

macal · 发表于 2021-11-17 11:04:42

同问，顶顶。

my_8n · 发表于 2021-12-2 10:11:37

ESD损伤成像分析一般有两种，一种叫emmi，一种叫obirch。观察热源观察的不是它本身的发热，而是激光加热观察温度的变化

xiongjf · 发表于 2021-12-24 09:12:21

同问待解答

[求助] ESD损伤后，红外热源分析

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