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[讨论] 电容与MOS管

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发表于 2021-9-23 16:50:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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NW电容和NMOS源漏接地做电容,两者有什么区别?在特定工艺下,可以通过NMOS替换NW电容来压缩面积,那么哪些电容是可以被替换的呢?
发表于 2021-9-23 18:26:54 | 显示全部楼层
如果D、S、B均接地,Gate接高电位,那么nmos电容在反型时电容会减小,到了强反型区才会保持最大电容,如果该点电压较低,在mos管阈值附近,那么容值变化就很大,可能会影响到延时之类的参数;而capnmos只要gate接高电位,容值保持不变。
个人是这样理解的,不知道对不对
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