GGNMOS原理和GGPMOS原理

模拟后端的小白 · 发表于 2021-9-16 17:49:01

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

GGNMOS原理当 PAD 端聚集大量的负电荷时，通过 Drain 端与 P-substrate 之间的 PN 结,电荷由 B 端泻放到 GND。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏？我的理解是反偏，因为大量的负电荷使 Drain 端电压降的很低，所以我的理解是PN 结反偏，请问一下对吗?
GGPMOS原理当 PAD 端聚集大量的正电荷时，通过 Drain 端与 NWELL 之间的 PN 结, 电荷由 B 端泻放到 VDD。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏？我的理解是正偏，因为大量的负电荷使 Drain 端电升高，所以我的理解是PN 结正偏，请问一下对面?

lalala2018 · 发表于 2021-9-17 10:52:04

ggnmos的是通过寄生npn放电的

模拟后端的小白 · 发表于 2021-9-17 11:04:51

lalala2018 发表于 2021-9-17 10:52
ggnmos的是通过寄生npn放电的

不是完全依靠寄生NPN，我是想分析ESD的GGNMOS和GGPMOS的正负电荷走向，遇到一些模糊的知识点，

gtfei · 发表于 2021-9-18 09:54:13

本帖最后由 gtfei 于 2021-9-18 13:03 编辑

。。。。。

gtfei · 发表于 2021-9-18 10:02:57

两种情况都是正偏。
你说的第一个，大量负电荷使得PAD（N+）电压低，B（PSUB）接地，这个寄生二极管VP>VN，咋就反偏了？
你说的第二个，PAD大量正电荷，衬底接VDD，哪里又冒出来的负电荷，打错字了吧？
1、GGNMOS PAD负电荷，衬底接地，很明显PAD上是低压，也就是V(PSUB)>V(N+)，这个寄生二极管正偏。
2、GGPMOS PAD正电荷，衬底接VDD，大量正电荷使得PAD上高压（比电源电压高），则V(P+)>V(NWELL)，这个寄生二极管正偏。
以上两种情况都是寄生二极管正偏的情况，没有寄生三极管的参与。