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[求助] GGNMOS原理和GGPMOS原理

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发表于 2021-9-16 17:49:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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GGNMOS原理当 PAD 端聚集大量的负电荷时,通过 Drain 端与 P-substrate 之间的 PN 结,电荷由 B 端泻放到 GND。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏?  我的理解是反偏,因为大量的负电荷使 Drain 端电压降的很低,所以我的理解是PN 结反偏,请问一下对吗?
GGPMOS原理当 PAD 端聚集大量的正电荷时,通过 Drain 端与 NWELL 之间的 PN 结, 电荷由 B 端泻放到 VDD。请问一下是 PN 结是正偏还是反偏?  我的理解是正偏,因为大量的负电荷使 Drain 端电升高,所以我的理解是PN 结正偏,请问一下对面?
发表于 2021-9-17 10:52:04 | 显示全部楼层
ggnmos的是通过寄生npn放电的
 楼主| 发表于 2021-9-17 11:04:51 | 显示全部楼层


lalala2018 发表于 2021-9-17 10:52
ggnmos的是通过寄生npn放电的


不是完全依靠寄生NPN,我是想分析ESD的GGNMOS和GGPMOS的正负电荷走向,遇到一些模糊的知识点,
发表于 2021-9-18 09:54:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 gtfei 于 2021-9-18 13:03 编辑

。。。。。
发表于 2021-9-18 10:02:57 | 显示全部楼层

两种情况都是正偏。
你说的第一个,大量负电荷使得PAD(N+)电压低,B(PSUB)接地,这个寄生二极管VP>VN,咋就反偏了?
你说的第二个,PAD大量正电荷,衬底接VDD,哪里又冒出来的负电荷,打错字了吧?
1、GGNMOS PAD负电荷,衬底接地,很明显PAD上是低压,也就是V(PSUB)>V(N+),这个寄生二极管正偏。
2、GGPMOS PAD正电荷,衬底接VDD,大量正电荷使得PAD上高压(比电源电压高),则V(P+)>V(NWELL),这个寄生二极管正偏。
以上两种情况都是寄生二极管正偏的情况,没有寄生三极管的参与。
发表于 2022-11-29 13:57:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 badguy_83 于 2022-11-29 13:59 编辑

对于GGNMOS,如果PAD加负压,就是等效成正偏二极管。如果PAD加正压,就是反偏,通过寄生npn导通产生的snapback放电。GGPMOS是类似的原理。
发表于 2024-1-17 17:49:03 | 显示全部楼层


badguy_83 发表于 2022-11-29 13:57
对于GGNMOS,如果PAD加负压,就是等效成正偏二极管。如果PAD加正压,就是反偏,通过寄生npn导通产生的snapb ...


这个原理是对吗
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