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查看: 4438|回复: 13

[解决] 如何理解NMOS和PMO共源极实现gain-boosted

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发表于 2021-9-6 15:19:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
30资产
本帖最后由 Rino_Y 于 2021-9-7 21:07 编辑

各位前辈好,最近在复现一篇文章中的增益增强的单端折叠共源共栅放大器。但是对于辅助放大器的实现方式有一点迷惑。
1、下图为拉扎维书中截图,我不是很能理解选取NMOS共源极作为辅助放大器时,为什么说P节点的最小电压由VGS3确定而非M1的过驱动电压?


2、因为要考虑主运放和辅助运放零极点的关系,在单独对主运放、辅助运放仿真的时候,请问是看他们各自的闭环的增益和单位增益带宽吗?还是说要仿真开环的辅助运放,然后将辅助运放接入主运放,看增益带宽积?
谢谢!


微信图片_20210907210637.jpg
 楼主| 发表于 2021-9-6 15:22:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 Rino_Y 于 2021-9-7 21:08 编辑

我一开始就对主运放和辅助运放按照环路增益的方式分别仿真,但是合到一起发现最后整体的单位增益带宽发生了变化,而增益几乎没有增强。
 楼主| 发表于 2021-9-8 08:45:35 | 显示全部楼层
还请大家答疑解惑,感谢感谢
发表于 2021-9-8 09:47:18 | 显示全部楼层
不管从哪个方面来说也不可能轮到M1的过驱动电压去定义P点的电压吧。抛去沟长调制,MOS就是理想电流源。漏源电压是浮动的,我们可以由固定电流去得到固定栅源电压,也可以由固定栅源电压得到固定电流,跟漏端电压一点关系都没有,谈何由M1栅源电压得到P点电压?
流过M3管的电流一定,M3删源电压就是定值,P点电压自然就是M3的栅电压。如果书看到这里还有这样的疑问,说明前面章节太过囫囵吞枣了。
 楼主| 发表于 2021-9-8 09:58:51 | 显示全部楼层


gongzhe1231 发表于 2021-9-8 09:47
不管从哪个方面来说也不可能轮到M1的过驱动电压去定义P点的电压吧。抛去沟长调制,MOS就是理想电流源。漏源 ...


非常感谢您的回答!我提出这个问题的时候,是想到了M3电流一定因此栅源电压一定故P点的电压就确定了,但是(b)图也可以用这个道理解释,流过PMOS的电流一定,那PMOS的栅极电压不是也是确定的吗? 看这里的时候发现之前好多内容都没理解,感谢您的批评。
发表于 2021-9-8 17:48:26 | 显示全部楼层


Rino_Y 发表于 2021-9-8 09:58
非常感谢您的回答!我提出这个问题的时候,是想到了M3电流一定因此栅源电压一定故P点的电压就确定了,但是 ...


你说的b图pmos不就是M3吗?不明白你的意思
 楼主| 发表于 2021-9-8 19:48:07 | 显示全部楼层


gongzhe1231 发表于 2021-9-8 17:48
你说的b图pmos不就是M3吗?不明白你的意思


感谢您的回复!我粘贴的书中的图片,最下面那段写道,按照(b)图的方式,P点电压最低可以低到M1的过驱动电压。但是我理解,流过PMOS的电流一定,那PMOS的栅极电压也是确定的,因此P点的最小电压还是由左边增益辅助运放决定的。恳请您指正,谢谢!
发表于 2021-9-9 13:59:17 | 显示全部楼层


Rino_Y 发表于 2021-9-8 19:48
感谢您的回复!我粘贴的书中的图片,最下面那段写道,按照(b)图的方式,P点电压最低可以低到M1的过驱动 ...


是这么个道理。电流转电压变化的时删源电压。我们在研究的时候要把它当成栅控的理想电流源,电流源两端(漏源)的电压,是浮动的,不能作为定义电压的基准。这是根本,mos的应用都建立在这个之上。甭管它实际中是什么样的,我们所期望或者改进的也就是让它向理想靠拢。

 楼主| 发表于 2021-9-11 10:21:10 | 显示全部楼层


gongzhe1231 发表于 2021-9-9 13:59
是这么个道理。电流转电压变化的时删源电压。我们在研究的时候要把它当成栅控的理想电流源,电流源两端( ...


感谢您的回复,我这两天一直在体会您说的这一点。但是想麻烦您就我问题中的图,再讲一讲N输入共源共栅中,为什么PMOS共源极作为gain booster比NMOS更好,我感觉还是需要高人指点一下,不然好像有点钻牛角尖了。非常感谢您!
 楼主| 发表于 2021-9-11 11:38:54 | 显示全部楼层


gongzhe1231 发表于 2021-9-9 13:59
是这么个道理。电流转电压变化的时删源电压。我们在研究的时候要把它当成栅控的理想电流源,电流源两端( ...


您好,我刚又体会了一下,对于左边(a)图来说,P点电压有两条通路可以确定,一个是M3的VGS,还有一个是M1的过驱动电压Vov,显然VGS小于Vov因此P点由左边M3确定;同理右边(b)图,M1的过驱动电压比经过M3栅漏和电流源的压降更低,因此P点可以低到M1的Vov。 思想就是要把握漏端是浮动端,不知道我这样分析是否正确。非常感谢您的指点!
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