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[讨论] 电容guard ring讨论

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发表于 2021-8-21 14:01:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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image.png 电容guard ring的作用是什么?什么时候必须使用guard ring?guard ring类型选择(N well还是pwell)的依据是什么?如果做一个电容阵列,是每一个电容都加一个guard ring,还是做好阵列之后直接在整体的外面加guard ring?

发表于 2024-12-24 17:45:12 | 显示全部楼层
求回答
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发表于 2024-12-24 18:22:10 | 显示全部楼层
问版图,版图肯定得懂这些
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发表于 2024-12-25 10:05:54 | 显示全部楼层
到衬底寄生电容。
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
同问
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发表于 6 天前 | 显示全部楼层
忽然发现这个2021的问题了。现在2025了。
这个问题实际上很简单,就是为了确定cap的衬底点位的。用nwell ring和pwell ring却决于点位接在哪里。
一般而言,所有的半导体器件都受两大参数的影响,一个是电场,一个是温度。所有的器件都会有电压系数和温度系数。
这个电容的沉底电位主要是确定电容电压的,这个电场强度会改变容值。
为什么会改变容值呢?需要一些电介质物理的知识,了解一些极化的东西就可以解释了
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