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楼主: lynker

[求助] LU测试结果出现分歧

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发表于 2021-10-18 17:16:58 | 显示全部楼层
您在上海?
发表于 2021-12-2 10:18:17 | 显示全部楼层
要他们的pre-和post曲线看看,很多时候偏曲线包络边缘的也算过的,实际上是有损伤的。
 楼主| 发表于 2021-12-3 09:25:13 | 显示全部楼层


在西安
 楼主| 发表于 2021-12-3 09:27:50 | 显示全部楼层


my_8n 发表于 2021-12-2 10:18
要他们的pre-和post曲线看看,很多时候偏曲线包络边缘的也算过的,实际上是有损伤的。  ...


多谢,目前两家给的回复是测试流程会有差异,测试人员操作方式会略有不同。按照最坏的测试结果分析即可。
发表于 2021-12-17 13:36:45 | 显示全部楼层
宏康和宜特哪家做的更可性?
 楼主| 发表于 2021-12-18 14:39:49 | 显示全部楼层


xiongjf 发表于 2021-12-17 13:36
宏康和宜特哪家做的更可性?


宜特。我们买了晶体管测试仪,芯片回来后自己可以提前测一下
发表于 2022-2-9 17:34:19 | 显示全部楼层
楼主能否分享下本案例Latchup形成原因?
 楼主| 发表于 2022-2-10 20:43:29 | 显示全部楼层


18271571115 发表于 2022-2-9 17:34
楼主能否分享下本案例Latchup形成原因?


image.png 电路如下,芯片内部总供电电路,RP,RM是芯片供电管脚,输入电源可颠倒。RP接电源RM接地,或者RM接电源RP接地,都可以。AVDD会输出高电平,AVSS会输出低电平给芯片内核供电。AVDD与AVSS是芯片内部电源与芯片外部无物理连接。红框中的N管出现了失效,测试发现栅源烧毁,源漏烧毁。版图严格按照Latch up设计规则设计,与RP和RM连接的P管与N管均按照ESD rule设计,拉宽了漏级并增加SAB层。
 楼主| 发表于 2022-11-27 20:59:30 | 显示全部楼层


lynker 发表于 2022-2-10 20:43
电路如下,芯片内部总供电电路,RP,RM是芯片供电管脚,输入电源可颠倒。RP接电源RM接地,或者RM接电源RP ...


最终定版时,N管都使用了隔离管,latch-up也就彻底解决了。
发表于 2022-11-29 09:41:28 | 显示全部楼层
因为latch-up测试有两种,一种是电压测试,另外一种是电流测试,有没有可能两家测试方对引脚的定义不同,一家把这两个引脚定义成IO了做的是电流测试,一家定义为电源引脚,做的是电压测试。而且看下报告确定一下电压测试用的多少电压,这个数值可能两边也不一样。
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