闩锁

qkyang

已解决

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已解决

星海

因为，存在衬底电流，衬底电流与衬底等效电阻会产生压差，导致原有的衬底电压升高，如果衬底电压 >0.7V，压差加载在NMOS源极、PW衬底和NW形成的寄生NPN发射结上，导致它正偏，而它的集电结反偏，那么NPN正向导通。正向导通的NPN在VDD与VSS之间形成通路，该通路产生NW衬底电流，同理NW衬底电压>0.7v,压差加载在PMOS源极、NW衬底和PW形成的寄生PNP发射结上，导致它正偏，而它的集电结反偏，那么PNP正向导通，这样就形成低阻抗通路，闩锁效应就产生。
如何打破这个循环：
减小VDD的电压，使NPN或者PNP导通之后形成的电流的反馈电压小于0.7V，从而使寄生双极型晶体管工作在截止区，这样寄生PNPN结构就会进入截止状态。
总结：就是寄生电阻越小产生，就无法使得管子达到开启电压，处于截止状态。

qkyang

星海 发表于 2021-8-6 15:40
因为，存在衬底电流，衬底电流与衬底等效电阻会产生压差，导致原有的衬底电压升高，如果衬底电压 >0.7V，压 ...

是这样，感谢，忽略了他的产生条件。