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[讨论] MOS参数中ron、rout的区别

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发表于 2021-8-3 17:51:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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ron:直流阻抗/导通阻抗  = VDS/IDS   大信号
rout:交流输出阻抗        =1/gds         小信号

解释:以MOS管典型的ID_VDS曲线为例,ron就是曲线上某一点与原点的连线斜率分之一,即该点对应的VDS/IDS;
                                                          rout是指曲线上某一点的切线斜率分之一,VDS对IDS求微分;

发表于 2021-8-3 18:30:46 | 显示全部楼层
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发表于 2022-3-19 10:24:25 | 显示全部楼层
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发表于 2022-3-20 17:38:37 | 显示全部楼层
感谢分享!
发表于 2022-3-20 22:35:12 | 显示全部楼层
have a look! thanks
发表于 2022-3-24 21:56:57 | 显示全部楼层
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发表于 2022-4-25 09:24:18 | 显示全部楼层
那如果mos工作在饱和区什么时候用Ron计算,而又是什么时候拿ro计算呢
 楼主| 发表于 2022-6-23 20:39:55 | 显示全部楼层


努力学ic的小叶 发表于 2022-4-25 09:24
那如果mos工作在饱和区什么时候用Ron计算,而又是什么时候拿ro计算呢


个人觉得 饱和区的时候一般都是关注小信号增益,用的是gm*rout计算,Ron都是在某一固定dc下而言



发表于 2022-10-7 17:29:48 | 显示全部楼层
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发表于 2023-2-1 14:38:30 | 显示全部楼层
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