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[原创] 模拟学习之始

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发表于 2021-7-31 16:29:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    本人目前是大四暑假,刚要结束复微杯的模拟赛道的初赛,勉强做了一个pipeline adc,
开这个帖子本意是想督促自己好好学习,暑假少摸一点鱼,目前的计划是基本把一些模块的概念和结构简单的过一遍
大致构想是做一个低功耗BLE Transceiver结构 从最基础的BGR、LDO、LPF、LNA、PLL、ADC、PA、MIXer、VCO、DAC出发
我会坚持一个模块一个模块的原理分析和cadence电路和版图设计,如果研一课少一点或者导师push不严重的话我坚持至少两周内更新一次
之后有时间会反复刷拉扎维 allen gray的圣经,在学一下matlab simulink
......................................................................................................................................................................................
第一次更新————学习模拟IC的基础
一、概述
    CMOS模拟集成电路是在传统的分立元器件模拟电路和BJT模拟电路基础上逐步发展而成的,模拟电路的设计包含形式与内容两方面的要求,形式上主要涉及电路结构的设计,而更关键的内容上则涉及电路参数的调整。模拟电路广义上讲还包括混合信号电路,数模混合系统一版包括电源管理(Power Management)、通信与接口(Communication & Interface)、数据转换(Data Coversion)、放大器(Amplifier)、比较器(Comparator)等五大模块。从功能上划分,模拟IP电路主要包括带隙电压基准BGR、集成运算放大器OpAmp、电压调节器VR、集成比较器Comp、振荡器OSC、模数转换器ADC、数模转换器DAC、锁相环PLL。共有小信号线性模拟IP、大信号非线性模拟IP、数模混合IP电路三大类。


二、模拟信号处理流程:
image.png


三、理论基础
1 基本概念的对应:
模拟信号——S&H——数字信号       电压——电流
BJT——CMOS                               时域t——频域s
静态——动态(瞬态)                   电感——电容
直流——交流                                稳态——振荡
线性——非线性                             小信号——大信号
共模——差模                                点——线——面
开环——闭环                                有源——无源


2 各器件层次
image.png


3 元器件
无源线性元件:电阻、电感、电容  (两端口器件不能放大,作用是提供静态工作点)
有源非线性元件:PN结、BJT、MOS(只有后两者能够放大,PN结构成后两者)
电路=元器件+各种连接


3.1 电阻
欧姆定律:
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3.2 电容(电感因为集成电路不好集成,用的地方十分少,就不单独介绍了,和电容是对偶关系)
公式定义:
image.png
设计时就是改变W*L来改变C的电容值
电容的线性微分方程:Q=CV,变化为:
image.png
在小信号范围做傅里叶变化得到容抗:
image.png
所以电容上的电压不能突变,通交流,隔直流(w为0,容抗无穷大)
因为容抗中有j,所以可以做相移、频率补偿等等,这是电容作用的理论支持
电容的应用:
image.png


3.3  PN结
PN结是由P型半导体和N型半导体组成的非线性元件
和电阻的区别是PN结的导通电流为扩散电流,电阻为漂移电流
PN正向导通(指数关系,电流变化很大时电压变化不大,叫做电压钳位),反向截至直至击穿
电流公式为:
image.png
image.png


对于交流参数:
image.png


PN结的应用;
image.png


3.4 BJT由两个背靠背PN组成,要求基极要足够窄,发射结正偏 集电结反偏
image.png


3.5 MOS(集成电路最重要的器件)
image.png
MOS是通过栅压VGS的电荷感应是P-Sub,反型,与S、D形成联通,相当于一个导通电阻
VGS主控,VDS辅控,所以Ids=f(VGS,VDS)
因为电流方向为S流入D,所以NMOS、PMOS符号如下:
image.png
MOS的线性区、饱和区电流公式简单数学推导得:
image.png
image.png

I-V特性曲线
image.png

需要注意MOS管的三个二阶效应:
image.png

MOS的AC特性:
image.png
mos的信号放大就是gm/gd,
gm为VGS变化时电流的变化,很明显,在饱和区时,VGS变化时电流的变化较大,VDS变化时电流处于恒流区变化很小,
线性区时,VGS变化时电流的变化较小,VDS变化时电流变化很大,所以信号放大要使mos处于饱和区












发表于 2021-7-31 19:11:49 | 显示全部楼层
顶一下,有一说一,有几张图在吴金老师的课件里看到过啊
发表于 2021-7-31 20:48:45 | 显示全部楼层
点个赞!!!
发表于 2021-7-31 20:56:56 | 显示全部楼层
赞,有几个点的理解让人眼前一亮。
 楼主| 发表于 2021-7-31 21:56:33 | 显示全部楼层


罗伟淞 发表于 2021-7-31 19:11
顶一下,有一说一,有几张图在吴金老师的课件里看到过啊


学长好
发表于 2021-8-1 10:56:11 | 显示全部楼层
赞一个
发表于 2021-8-4 11:38:37 | 显示全部楼层
准研一方向数模混合信号IC,想问下研究生阶段要学这么多模块吗
 楼主| 发表于 2021-8-4 21:05:40 | 显示全部楼层


模拟萌新 发表于 2021-8-4 11:38
准研一方向数模混合信号IC,想问下研究生阶段要学这么多模块吗


老哥好,你数模混合的话专攻ADC,DAC就行,
我这全是兴趣,哎,我要转行了
发表于 2021-8-5 11:25:10 | 显示全部楼层


jokerxb 发表于 2021-8-4 21:05
老哥好,你数模混合的话专攻ADC,DAC就行,
我这全是兴趣,哎,我要转行了
...


转行是不做IC了吗?
 楼主| 发表于 2021-8-5 12:16:48 | 显示全部楼层


Jack~fa 发表于 2021-8-5 11:25
转行是不做IC了吗?



被老师鸽了,研究生换方向了
不过模拟是兴趣,课余时间会进行学习
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