nldxxai如何实现耐高压的？

Cute_Q · 发表于 2021-7-30 10:55:16

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LDMOS是如何实现耐高压的呢？
是简单的增加了D端距离吗?
有的工艺在栅到D端还增加了NDRIFT层，是什么原理呢？

musclerush · 发表于 2021-8-2 09:23:23

mos管耐不耐高压，看的是在高压下mos源漏是否击穿，而mos源漏击穿与否在于空间电荷区（PN结）是否反向扩张到连接源漏。dmos器件纵向存在NW和DNW（不同工艺名称不同可能有叫bnl的），半导体浓度不同pn结反偏宽度不同。当漏端加大电压使漏端与沟道形成的PN结扩张到几乎完全充满NW层时，PN结要想继续扩张会被掺杂浓度更低的DNW限制无法继续扩张，也就是说要想通过PN结反偏使DMOS源漏穿通几乎不可能。同时PN结几乎纵向填满NW（PN结内载流子完全耗尽），漏极与衬底间的击穿也变得更加困难。不知道这样讲你是否有听明白，如果还有疑惑建议去看看站内温德通老师的《集成电路制造工艺与工程应用》中DMSO部分。

Cute_Q · 发表于 2021-9-3 15:22:03

musclerush 发表于 2021-8-2 09:23
mos管耐不耐高压，看的是在高压下mos源漏是否击穿，而mos源漏击穿与否在于空间电荷区（PN结）是否反向扩张 ...

thanks

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