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[求助] 求助一产生只随温度变而不随corner变的量的电路

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发表于 2021-7-15 09:16:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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产生量电压或电流都可以
发表于 2021-7-15 09:31:09 | 显示全部楼层
要求的精度?精度高又没有参考应该只能trimming。
精度不高的:mos阈值、带隙基准的电阻上的电压、2T reference。
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 楼主| 发表于 2021-7-15 09:40:58 | 显示全部楼层
本帖最后由 C_Spectator 于 2021-7-15 10:38 编辑


   
nanke 发表于 2021-7-15 09:31
要求的精度?精度高又没有参考应该只能trimming。
精度不高的:mos阈值、带隙基准的电阻上的电压、2T refer ...


精度要求高的,mos阈值、带隙基准接电阻得到的电压也会随corner变而变不满足需要
2T reference是指什么电路呢?

更正:去验证了带隙基准接电的电阻上的电压,是不随corner变化的,感谢~
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发表于 2021-7-15 10:28:15 | 显示全部楼层
不变指的是多少ppm 呢?
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发表于 2021-7-27 23:11:15 | 显示全部楼层


   
C_Spectator 发表于 2021-7-15 09:40
精度要求高的,mos阈值、带隙基准接电阻得到的电压也会随corner变而变不满足需要
2T reference是指什么电 ...


2T 用的是两个native nmos作为reference voltage generator取代传统的Bandgap。具体可以看A Portable 2-Transistor Picowatt Temperature-
Compensated Voltage Reference Operating at 0.5 V 这篇文章。和bandgap相比好处在于低功耗,面积小,很适合在低功耗(<uw)或者subthreshold domain电路中用。tradeoff在于通过tuning native device size可以减小V variation 或者P variation但不能光靠tuning同时减小P和V variation。还有一点是2T能生成的vref范围相较于BJT有限。
kaiyuan yang有一篇 0.6nJ −0.22/+0.19°C inaccuracy temperature sensor using exponential subthreshold oscillation dependence,用两个native device做header减小V variation的温度传感器文章,从accuracy的结果看process variation好像也比较小。
KAIST 也有一篇192pw 的Bandgap电路,PVT三者都做的不错。


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发表于 2021-7-28 10:42:23 | 显示全部楼层
delta Vbe
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