求助一产生只随温度变而不随corner变的量的电路

C_Spectator · 发表于 2021-7-15 09:16:49

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产生量电压或电流都可以

nanke · 发表于 2021-7-15 09:31:09

要求的精度？精度高又没有参考应该只能trimming。
精度不高的：mos阈值、带隙基准的电阻上的电压、2T reference。

C_Spectator · 发表于 2021-7-15 09:40:58

本帖最后由 C_Spectator 于 2021-7-15 10:38 编辑

nanke 发表于 2021-7-15 09:31
要求的精度？精度高又没有参考应该只能trimming。
精度不高的：mos阈值、带隙基准的电阻上的电压、2T refer ...

精度要求高的，mos阈值、带隙基准接电阻得到的电压也会随corner变而变不满足需要
2T reference是指什么电路呢？

更正：去验证了带隙基准接电的电阻上的电压，是不随corner变化的，感谢~

spartan313 · 发表于 2021-7-15 10:28:15

不变指的是多少ppm 呢？

tomjl · 发表于 2021-7-27 23:11:15

C_Spectator 发表于 2021-7-15 09:40
精度要求高的，mos阈值、带隙基准接电阻得到的电压也会随corner变而变不满足需要
2T reference是指什么电 ...

2T 用的是两个native nmos作为reference voltage generator取代传统的Bandgap。具体可以看A Portable 2-Transistor Picowatt Temperature-
Compensated Voltage Reference Operating at 0.5 V 这篇文章。和bandgap相比好处在于低功耗，面积小，很适合在低功耗（<uw）或者subthreshold domain电路中用。tradeoff在于通过tuning native device size可以减小V variation 或者P variation但不能光靠tuning同时减小P和V variation。还有一点是2T能生成的vref范围相较于BJT有限。
kaiyuan yang有一篇 0.6nJ −0.22/+0.19°C inaccuracy temperature sensor using exponential subthreshold oscillation dependence，用两个native device做header减小V variation的温度传感器文章，从accuracy的结果看process variation好像也比较小。
KAIST 也有一篇192pw 的Bandgap电路，PVT三者都做的不错。

loopgain · 发表于 2021-7-28 10:42:23

delta Vbe

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