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查看: 5829|回复: 14

[求助] Memory Compiler 的一些问题

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发表于 2021-7-14 21:30:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
50资产
请问一下,使用Memory Compiler生成的IP与自己通过verilog写出来的寄存器组通过DC综合出来有什么区别吗?
例如:reg [511:0] mem [7:0];
gernvar i;
  generate
    for (i=0;i<511;i=i+4)begin
      ……

另问一下,MC中怎么配置Flash,我使用的工艺库是SMIC011,工艺库中MC只有单双口SRAM、ROM和单双口的Reg file。
其中ROM只能读数不能写数据,没有写入端口,想配置一块能写数据且掉电不丢失的存储怎么做?




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综合出来的寄存器是拿标准单元搭的. 用memory compiler得到的是sram cell加读出电路搭的, 一般都被深度优化过, 所以面积和功耗都小很多.时许上也更好. 我之前在某个地方看过一个值, 当寄存器的位数超过这个值以后, 就没必要手动综合了, 用memory complier更经济. 我建议你把你自己写的寄存器组丢到dc里面去跑一下综合就能估计出来面积. flash要看你的工艺有没有. 如果没有就只能每次上电或者复位的时候load寄存器了. 以上 ...
发表于 2021-7-14 21:30:51 | 显示全部楼层
综合出来的寄存器是拿标准单元搭的. 用memory compiler得到的是sram cell加读出电路搭的, 一般都被深度优化过, 所以面积和功耗都小很多.时许上也更好.

我之前在某个地方看过一个值, 当寄存器的位数超过这个值以后, 就没必要手动综合了, 用memory complier更经济.

我建议你把你自己写的寄存器组丢到dc里面去跑一下综合就能估计出来面积.

flash要看你的工艺有没有. 如果没有就只能每次上电或者复位的时候load寄存器了.

以上为个人的粗浅看法, 希望各位多多指教.
发表于 2021-7-14 21:35:56 | 显示全部楼层
一个是hard macro,一个是std cell
 楼主| 发表于 2021-7-14 21:51:37 | 显示全部楼层


phoenixson 发表于 2021-7-14 21:35
一个是hard macro,一个是std cell


使用hard macro 与 std配置出来的存储相比, 在面积、功耗、时序上会有优势吗?
发表于 2021-7-14 21:59:47 | 显示全部楼层
生成的面积会小很多,功耗应该也小,时序的话你看手册对比一下
发表于 2021-7-15 10:02:13 | 显示全部楼层


xxy199763 发表于 2021-7-14 21:51
使用hard macro 与 std配置出来的存储相比, 在面积、功耗、时序上会有优势吗? ...


必须的啊
发表于 2021-7-15 10:10:11 | 显示全部楼层
我最近也在做这个memory compiler,都使用的生成的ip替换掉自己搭建的,因为包含工艺库的相关信息。
 楼主| 发表于 2021-7-15 18:11:46 | 显示全部楼层


那如果想用EEPROM或者FLASH之类的要怎么做的?
 楼主| 发表于 2021-7-15 18:12:40 | 显示全部楼层


xxxiexieu 发表于 2021-7-15 10:10
我最近也在做这个memory compiler,都使用的生成的ip替换掉自己搭建的,因为包含工艺库的相关信息。 ...


请问有没有用到过EEPROM,FLASH之类的可写数据的非易失性存储?
发表于 2021-7-16 15:24:08 | 显示全部楼层
请教楼主有没有ish的flow?
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