低压共源共栅电流镜的偏置电路

vannylee

Chanson9611 发表于 2022-8-31 08:59
这是一个典型的宽摆幅电流镜结构，其中M7，M6构成一个分裂晶体管MB，两者应该等价于M0，且MB的过驱动电压要 ...

大佬，为啥M7、M6两者应该等价于M0呀？意思是MB和M0也构成了电流镜吗？

HC.W

mouseliu 发表于 2021-6-16 19:31
1.假设M0和M1都是W/L，左边支路如果用一个diode MOS来实现，MOS尺寸是多少？W//L/4
2.左边的2个管子等效为 ...

衬底自偏置！妙！

renyuan

不用盲目相信理论，换个Corner就不好使了，升个高温也不好使了，关键是偏置电压是否留够了裕量，不是纠结几比几的问题

its_aleix

我怎么跑，左下角那个M6也压不到饱和区，他要Vgs7小于M6管的阈值电压Vth6，我扫描了W、L，感觉做不到啊。请问有前辈讲讲嘛？？

CmosLgh

its_aleix 发表于 2023-7-21 15:48
我怎么跑，左下角那个M6也压不到饱和区，他要Vgs7小于M6管的阈值电压Vth6，我扫描了W、L，感觉做不到啊。请 ...

M6本来就是必然处于线性区的哦

its_aleix

CmosLgh 发表于 2023-7-21 16:14
M6本来就是必然处于线性区的哦

多谢前辈解答，昨天为了一下，确实是工作在线性区。单纯看左侧电路的话，似乎可以压到饱和，但是要考虑满足右侧的偏置电压，似乎M6就不可能饱和，只能是在线性区。另外，书上写的是M6提供右侧所需要的过驱动电压，意思是Iin电流乘M6线性区的电阻要等于右侧的Vod嘛？？

CmosLgh

its_aleix 发表于 2023-7-23 16:27
多谢前辈解答，昨天为了一下，确实是工作在线性区。单纯看左侧电路的话，似乎可以压到饱和，但是要考虑满 ...

你还没有完全理解清楚，不管右边，左边M7和M6的连接形式，M6一定处于线性区：

Vgs7 + Vds6 = Vgs6 , 故 Vgs6 必然小于Vgs7

两个MOS管在一条支路上，它们必然流过一样的电流，现在M7管的Vgs大，所以M7进入线性区才能使流过的电流和M6的一样大。

两个宽长比一样大的管子，不一样的Vgs，它们要流过一样大的电流，Vgs大的必然要进入线性区才能压低它的电流。


另外，原文 “M7提供所需的VGS，M6产生所需要的过驱动电压”


这话的意思是： Vb = Vgs6 = Vgs7 + Vds6


看右边部分有： Vb = Vgs0 + Vds1


一比较，是不是要 Vgs0=Vgs7, 同时 Vds1=Vds6 啦


这样的好处就是M1的自偏置Vgs1由它的电流确定了，而它的电流被M0确定了，Vgs1较小使得它们的Vds都会比较小，这样输出摆幅就大。

its_aleix

CmosLgh 发表于 2023-7-24 09:46
你还没有完全理解清楚，不管右边，左边M7和M6的连接形式，M6一定处于线性区：

Vgs7 + Vds6 = Vgs6 , 故  ...

看到前辈这么一讲解，确实明了啦。非常感谢！！！！
我自己再整理总结一下。

Zenon

CmosLgh 发表于 2023-7-24 09:46
你还没有完全理解清楚，不管右边，左边M7和M6的连接形式，M6一定处于线性区：

Vgs7 + Vds6 = Vgs6 , 故  ...

感谢大佬讲解，不过稍微有点笔误，6和7有些地方写反了，不过不影响理解，再次感谢！

张江板砖工头

妙啊。。。。。。