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[求助] 小白求助

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发表于 2021-6-7 16:06:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大佬,请问我想看这个MOS 的IDS/VDS 的特性曲线,V1=3V, 扫描的直流电压V2 从0-10V,但是曲线好像不对啊,求指教,谢谢
1.png
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发表于 2021-6-7 16:13:35 | 显示全部楼层
曲线反了,加个负号就对了
 楼主| 发表于 2021-6-7 16:32:15 | 显示全部楼层


minxuezhang1117 发表于 2021-6-7 16:13
曲线反了,加个负号就对了


请问为什么V2电流值会是负值啊?怎么加负号?在扫描那个窗口设置0-(-10v)吗
发表于 2021-6-7 16:55:24 | 显示全部楼层


嘟嘟大白菜 发表于 2021-6-7 16:32
请问为什么V2电流值会是负值啊?怎么加负号?在扫描那个窗口设置0-(-10v)吗
...


流进为正,流出为负,设置output的表达式,可以直接加负号
发表于 2021-6-7 19:03:40 | 显示全部楼层
最大电压10V太高了,会损坏管子的
发表于 2021-6-8 10:13:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 wrss20080407 于 2021-6-8 10:18 编辑

楼主有没有看看这个NMOS管的耐压是多少?从图片来看,楼主用的是3V的管子,Vth=753.652mV,所以V1=3V的话,管子的Vgs太大了;另外,就像楼上所说,10V的电压过高,管子早就废了,楼主的仿真结果没啥意义。建议楼主先确认一下管子的过驱动电压(这个值取决于实际应用,或者直接取个经验值200mV),这样Vgs=Vth+200mV大概1V,也就是图片中的V1电压为1V。然后V2从0到3V扫描。结果应该是电流有变化但变化不大。
 楼主| 发表于 2021-6-9 17:27:21 | 显示全部楼层


wrss20080407 发表于 2021-6-8 10:13
楼主有没有看看这个NMOS管的耐压是多少?从图片来看,楼主用的是3V的管子,Vth=753.652mV,所以V1=3V的话, ...


感谢,解答很详细,我想再问下如果这个管子采用二极管接法的话 GD短接再串联一个电阻的话,这个VGS 怎么算啊?我想设计一个恒流源的话,假定电流比如1mA, 但是我不知道 uCox 这个值,只能调节W/L,那我来怎么确定我的电流呢?谢谢,另外W/L 这个值怎么设定呢,比如10u/2u宽长比为5   20u/4u宽长比也是5 我怎么选择呢?
发表于 2021-6-10 11:19:40 | 显示全部楼层


嘟嘟大白菜 发表于 2021-6-9 17:27
感谢,解答很详细,我想再问下如果这个管子采用二极管接法的话 GD短接再串联一个电阻的话,这个VGS 怎么 ...


作为电流源来说,沟道长度L的取值取决于管子是否能接近理想的电流源。楼主可以仿真一下,对于一个确定的沟道宽度W,比如3u和确定的栅源电压Vbs,比如1V,扫描电流随沟道长度L和漏源电压Vds的变化,会得到以漏源电压Vds为横坐标,纵坐标为漏极电流的一系列电流曲线,每条电流曲线对应一个确定的沟道长度L。楼主可以发现,随着L的变大,电流随Vds的变化越小。根据这个特点,选择相应的L。
我用的65nm工艺,管子作为电流源的话,我一般取沟道长度L=1.5u。
 楼主| 发表于 2021-6-11 14:51:11 | 显示全部楼层


wrss20080407 发表于 2021-6-10 11:19
作为电流源来说,沟道长度L的取值取决于管子是否能接近理想的电流源。楼主可以仿真一下,对于一个确定的 ...


我试了一下,好像是这样的,,感谢大佬耐心解答。
 楼主| 发表于 2021-6-11 15:15:35 来自手机 | 显示全部楼层


wrss20080407 发表于 2021-6-10 11:19
作为电流源来说,沟道长度L的取值取决于管子是否能接近理想的电流源。楼主可以仿真一下,对于一个确定的 ...


你好  可以再向您请教一下吗?电流值是根据平方律,但是uCox这个工艺常数会给出来吗?我的意思是 设计电流源电流值的时候,是根据要求电流源电流值 利用平方律公式再反推宽长比,还是不需要平方律公式而是自己反复不断试调宽长比 设计的?谢谢啦
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