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发表于 2021-6-4 21:06:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如图,感觉最基基础的那种结构不能满足耐压要求。
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发表于 2021-6-5 12:14:35 | 显示全部楼层
我记得这是去年复旦微的笔试题
 楼主| 发表于 2021-6-5 14:03:53 | 显示全部楼层


saw2020 发表于 2021-6-5 12:14
我记得这是去年复旦微的笔试题


是的,最近刷到,简单琢磨了一下,不知道什么样的结构能满足这个要求啊。
发表于 2021-6-5 14:26:08 | 显示全部楼层
可以考虑cascade结构
发表于 2021-6-5 14:36:39 | 显示全部楼层
想不出,等大佬解答。也想不出level shifte后1.8V耐压的管子在3.3V下怎么做逻辑器件。
发表于 2021-6-5 15:17:59 | 显示全部楼层
常规结构肯定超压了,这种问题一般出现在IO领域,业界里面称作tolerance IO,列举一个简单示意,如图所示:
这是最基本的结构,有值得优化和完善的地方,拿出来当个示意,基本思想就是利用取值合适的偏置电压,将所有device限制在可靠的电压范围内。
微信图片_20210605151115.jpg


发表于 2021-6-5 16:30:25 | 显示全部楼层


Go_Ku 发表于 2021-6-5 14:03
是的,最近刷到,简单琢磨了一下,不知道什么样的结构能满足这个要求啊。
...


楼主可以互相分享一下笔试题,也在准备秋招,也可以一起讨论题目!
 楼主| 发表于 2021-6-5 22:27:34 | 显示全部楼层


gtfei 发表于 2021-6-5 15:17
常规结构肯定超压了,这种问题一般出现在IO领域,业界里面称作tolerance IO,列举一个简单示意,如图所示: ...


非常感谢前辈的分享!
 楼主| 发表于 2021-6-5 22:29:54 | 显示全部楼层


saw2020 发表于 2021-6-5 16:30
楼主可以互相分享一下笔试题,也在准备秋招,也可以一起讨论题目!


好的!我有问题会发出来和大家讨论的!
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