在n阱中能制作nmos？

shiying0202 · 发表于 2021-5-21 15:49:02

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如图是新版拉扎维教材第15章的关于mos电容的介绍。
第二个图说可以在n阱中制作nmos形成积累区的mos电容，想问下这个nmos的体端是哪个？是n阱还是p衬底？？
对于n阱工艺，不是nmos的体只能是p衬底接地吗？

stone1005 · 发表于 2021-5-21 15:50:06

这个是常见的可变电容结构。varator。

shiying0202 · 发表于 2021-5-21 16:01:01

stone1005 发表于 2021-5-21 15:50
这个是常见的可变电容结构。varator。

请问这个nmos的体端是n阱还是p衬底呢，感谢解答！

stone1005 · 发表于 2021-5-21 16:09:11

shiying0202 发表于 2021-5-21 16:01
请问这个nmos的体端是n阱还是p衬底呢，感谢解答！

电容两端一端是gate，另一端是N+，也就是nwell。

jiangelu · 发表于 2021-5-21 16:20:54

NW的作用是把SD天然的连在一起，bulk还是psub或者PW的电位

狱火虫 · 发表于 2021-5-21 17:03:32

介质层是栅氧化层，两个极板为S/D的短接端和栅极引出哎的端子。

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