请问各位大神，高速接口电路中二级ESD保护怎么做

scvready · 发表于 2021-4-27 14:56:58

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对于超高速SERDES电路接收端输入PIN，加入二级保护，ESD电阻和输出端的寄生电容导致带宽降低，严重影响性能
而目前TSMC 7nm/16nm等工艺都要求需要做二级保护来预防CDM，请问应该怎么办？？？？可以把电阻拿掉吗？？？？？？

zhangyang370281 · 发表于 2021-4-27 18:18:41

将ESD电阻做小一点（一般默认200欧姆），你可以做成100欧姆，ST家的serdes有这么处理的（96欧姆），为了不降低信号质量，仅供参考

scvready · 发表于 2021-4-28 11:07:43

zhangyang370281 发表于 2021-4-27 18:18
将ESD电阻做小一点（一般默认200欧姆），你可以做成100欧姆，ST家的serdes有这么处理的（96欧姆），为了不 ...

做小也有衰减。。。。
可以不要电阻不？

zhangyang370281 · 发表于 2021-4-28 12:53:46

scvready 发表于 2021-4-28 11:07
做小也有衰减。。。。
可以不要电阻不？

估计你得看看能不能通过HBM 和CDM ESD 了，这个不好说了，貌似二级保护的ESD电阻都是必须的。。。

mars0904 · 发表于 2021-5-13 09:40:26

不加二级保护，那就降低这个pin的ESD标准。现在大部分的高速接口ESD标准都比较低。

lynker · 发表于 2022-1-25 09:14:33

我们拆过TI的SERDES芯片1G的速度，它的TX口ESD没用电阻。工艺是0.18um的

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