关于gm_id和id_w设计运放问题

加油吧YHL · 发表于 2021-4-1 16:52:14

求各位大神帮我指导一下，我们在选择pmos和nmos的gm/id的值一般取多大的值?id/w的值大部分不都是ua/um吗？为啥只显示m？还有我这个扫描曲线对吗？

魔陈公仔 · 发表于 2021-4-1 16:52:15

emmm，gmid是有个表格的，怎么扫我忘了，有好多数据的，以前用的都是现成的表来着。

一般是先选好沟长，然后确定过驱动电压，过驱动一旦确定VGS也确定了，id/w值也确定了，再根据你想要的电流id来算W值。之后就是根据确定好的vgs、w、l来仿电路。过驱动一般在100mV~200mV为宜。

加油吧YHL · 发表于 2021-4-2 10:47:17

魔陈公仔发表于 2021-4-1 21:32
emmm，gmid是有个表格的，怎么扫我忘了，有好多数据的，以前用的都是现成的表来着。

一般是先选好沟长，然 ...

好的，谢谢您的回复。

加油吧YHL · 发表于 2021-4-2 14:56:34

魔陈公仔发表于 2021-4-1 21:32
emmm，gmid是有个表格的，怎么扫我忘了，有好多数据的，以前用的都是现成的表来着。

一般是先选好沟长，然 ...

您好，我有点迷惑，已知我们在确定沟道长度l下，待定一个w值可以确定过驱动电压，从而确定vgs，以及id/w以及gm/id。但是根据我预设计电流值来计算w，发现前面设计的vgs以及vdsat都发生了很大变化。您能结合我给的图来说下这个设计思路，我设计总电流为1.25ma

魔陈公仔 · 发表于 2021-4-2 15:59:19

加油吧YHL 发表于 2021-4-2 14:56
您好，我有点迷惑，已知我们在确定沟道长度l下，待定一个w值可以确定过驱动电压，从而确定vgs，以及id/w ...

一个管子的工作状态，是由D G S B四端电压以及W和L决定的。当这些参数都确定后，管子的过驱动电压、电流是基本确定的。

但是从电路来看，你改变W，管子的电流会变化，但是它能变多少还受到上下通路上管子驱动能力的约束。比如你的电流源就只能过1mA的电流，但是你串接的管子按照2mA来设计也是没有意义的，因为电流被限制住了。所以增大W并不能增大电流，但是会改变MOS管的四端电压以使得管子在当前电流和当前尺寸下能有一个工作状态。

所以gmid更多的是给你一个如何优化电路的参考方向，而不是绝对的。

如果要完全按照gmid的值来设计的话，运放里的每个MOS管、每个节点电压都必须严格按照VGS的值来设计、电流也是，而且变一个就要所有相关联的管子一起考虑该如何变化。