GSMC130nm工艺中poly对衬底的寄生电容一般是什么水平

pwb1234 · 发表于 2021-3-30 22:43:52

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GSMC130nm工艺中poly对衬底的寄生电容一般是什么水平，有0.1fF/μm²吗？

lynker · 发表于 2021-3-31 01:09:48

PEX提取就知道了

ericking0 · 发表于 2021-3-31 09:11:16

粗略的算一下，STI的厚度就算2000A的话，真空介电常数8.85e-12，silicon相对介电常数3.9，
1um^2电容就是0.172fF；
即使厚度有出入，可能STI可能填一点nitrid之类的，大致的量级应该不会偏很多

pwb1234 · 发表于 2021-3-31 10:30:32

ericking0 发表于 2021-3-31 09:11
粗略的算一下，STI的厚度就算2000A的话，真空介电常数8.85e-12，silicon相对介电常数3.9，
1um^2电容就是0. ...

大神，这个是工艺库提供的工艺图，从这个图上可以看出STI厚度是0.404μm吧（棕色的是poly层），那寄生电容量值应该就是您计算得到的值一半左右对吧。

ericking0 · 发表于 2021-3-31 18:12:15

pwb1234 发表于 2021-3-31 10:30
大神，这个是工艺库提供的工艺图，从这个图上可以看出STI厚度是0.404μm吧（棕色的是poly层），那寄生电 ...

差不多吧，再看看STI里面全部是silicon，还是有nitrid，
这种方法大致估一下还行，要精确还是想法在文档里面找找，或者PEX，或者找个三端的POLY电阻看看对第三端的容值

pwb1234 · 发表于 2021-4-1 17:18:44

ericking0 发表于 2021-3-31 18:12
差不多吧，再看看STI里面全部是silicon，还是有nitrid，
这种方法大致估一下还行，要精确还是想法在文档 ...

好的，谢谢大哥

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