GSMC130nm工艺中两端电阻与三端电阻的区别

pwb1234 · 发表于 2021-3-30 17:33:41

求问各位大佬，本人在使用GSMC130nm工艺过程中，发现同样阻值的情况下，两端电阻与三端电阻仿真结果相差较大，其中三端电阻仿真结果较差。通过查看电阻模型文件，发现工艺中三端电阻有寄生电容模型，而两端电阻却没有。通过PEX分别提取两端电阻以及三端电阻的寄生参数，发现差距并不大。
我的疑问是：1.两端电阻与三端电阻的区别仅仅只有三端电阻外端多了一圈接触孔环，为什么文件里关于寄生电容的参数相差这么大，导致两个电阻仿真结果天差地别？
2.两种电阻的模型，哪个更加精确，应该使用哪一种电阻？

lidequan · 发表于 2021-3-30 17:48:40

怎么仿真的？仿真结果较差是指电阻仿真值和模型差异较大吗？多出来的一圈接触孔是衬底，在版图中2端电阻的衬底是和其他器件共用吗？

pwb1234 · 发表于 2021-3-30 20:03:38

lidequan 发表于 2021-3-30 17:48
怎么仿真的？仿真结果较差是指电阻仿真值和模型差异较大吗？多出来的一圈接触孔是衬底，在版图中2端电阻的 ...

仿真方式是做成跨阻放大器的方式仿真。仿真结果较差指的是三端电阻的寄生效应较两端电阻来说明显得多，电阻阻值仿真结果并没有区别。区别是两端电阻和三端电阻的寄生效应，三端电阻的寄生效应较为明显。这种效应在前仿以及后仿中都体现的很明显。

pwb1234 · 发表于 2021-3-30 20:05:48

lidequan 发表于 2021-3-30 17:48
怎么仿真的？仿真结果较差是指电阻仿真值和模型差异较大吗？多出来的一圈接触孔是衬底，在版图中2端电阻的 ...

目前版图中只有电阻，我是仅仅将电阻的寄生提取网表来代替前仿中电阻的网表来进行后仿的。

bo_feng · 发表于 2021-3-31 14:05:50

一般电阻都会有寄生电容，与n well、p well、p sub等的寄生电容，取决于电阻坐在哪个阱里。与layout抽的结果接近的更接近真实情况。

[求助] GSMC130nm工艺中两端电阻与三端电阻的区别

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