深N阱电位疑问！

RFcircuits · 发表于 2021-3-15 23:39:33

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rt，深N阱(DNW)的作用是隔离管子Psub间的相互影响。dnw外面有一圈N阱接VDD，里面的SP接GND_dnw。疑问的是这里的GND_dnw可以和大衬底的GND使用一个GND吗？还是需要采用单独的GND？如果采用相同的GND，那么各种干扰是否会通过GND耦合进DNW里面？

虎大王 · 发表于 2021-3-25 18:11:59

当然要采用单独的地。不然不是白隔了

fengluan83 · 发表于 2021-3-25 21:45:43

接相对S的低电位即可，d'r

RFcircuits · 发表于 2021-4-1 23:05:20

虎大王发表于 2021-3-25 18:11
当然要采用单独的地。不然不是白隔了

谢谢

CWBBest · 发表于 2021-4-4 23:27:28

学习了

ymiker · 发表于 2021-4-7 18:04:07

外面不是有层sub嘛

peterlin2010 · 发表于 2021-4-7 21:59:31

应该说 DNW + N_well 接高电位下 , 就隔离.
内部GND  若跟外面PSUB ,那就Psub 相连内部GND

另外问, 好像有些工艺带 DNW ,  HVNW , HVNW2
  有那些差异阿

HVNW 应该反向耐高压.但是为何有两种??

DNW 应该比一般 n_well 深. 但井多深不知道 .
是否 RF设计上怕 noise 会用 DNW 元件?

那如果低压MOS 用 DNW  , 或HVNW
DNW 抗noise会比 HVNW 好吗?  但 HVNW 一般应该会拉比较开离比较远阿.

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