LOCOS工艺隔离的是什么东西

musclerush · 发表于 2021-2-23 15:58:39

在看LOCOS隔离工艺的时候我发现，厚氧层其实不算深，不说阱就连重掺杂的深度也没达到。那么LOCOS隔离的是哪些层次？如果LOCOS只是划分源区，为什么不直接用光刻胶完成源区的划分？N阱与P阱形成反偏PN结只有很小的漏电流，那么LOCOS存在的意义在哪？

musclerush · 发表于 2021-2-23 19:33:29

查了天资料自己认为是解决了，LOCOS是建立在PN结隔离的基础上的。PN结隔离面临着表面硅损伤隔离效果不如底部的窘境，于是有大佬尝试在表面添加氧化物，然后发现隔离效果确实有所改善。所以LOCOS工艺可以说是“PN结隔离的升级版”，其表面使用氧化物进行隔离，而底部的隔离原理还是PN结反偏（与PN结隔离一致）。

litong717 · 发表于 2021-2-25 17:41:37

现在应该没有LOCOS了吧都是sti 。LOCOS有鸟嘴。

Cute_Q · 发表于 2021-2-28 17:11:33

质疑精神值得学习。加深了印象。

binke · 发表于 2021-10-10 11:44:20

学习了

moqqcn · 发表于 2021-10-10 14:07:58

学习了

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