反相器实现高电平转低电平

shungege · 发表于 2021-2-3 14:43:58

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如图，不考虑其他，只想实现高电平转低电平，AVDD3.3v，DVDD1.2V。因为管子存在击穿风险，怎样设计可以避免该风险，新人学习中，求助谢谢。

CWBBest · 发表于 2021-2-3 15:24:54

本帖最后由 CWBBest 于 2021-2-4 00:11 编辑

注意工艺中提供的高压管大都只对漏极负责。你现在的电路如果AVDD是3.3，则高压会出现在普通管子的栅极。

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我又回去查看了一下资料，是我记错了，只对漏极负责的是部分工艺的极高压。例如高压管耐受2.5V，但提供漏极测至5V、栅极和源极依然只耐受2.5V的选项。

所以3楼前辈的回答是正确的。对于你现在的设计只需要把AVDD改为1.2V即可。你的高压应该是出现在M2和M27的栅极。

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没有设计过相关电路，思路仅供参考，欢迎指正讨论

phoenixson · 发表于 2021-2-3 17:01:17

可以由两个串联的反相器完成，第一级反相器用3.3v器件，但是供电是低压，第二级供电仍然为低压，但是器件可以用低压器件

fly_ma · 发表于 2021-2-3 18:14:37

都用3.3V device

shungege · 发表于 2021-2-4 10:04:06

phoenixson 发表于 2021-2-3 17:01
可以由两个串联的反相器完成，第一级反相器用3.3v器件，但是供电是低压，第二级供电仍然为低压，但是器件可 ...

你的意思应该是这样吧，谢谢。我已经搞定了

kgdvfhpfss · 发表于 2021-2-4 10:33:50

shungege 发表于 2021-2-4 10:04
你的意思应该是这样吧，谢谢。我已经搞定了

应该说的是左右串联吧

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