功率管短路关闭过程中烧坏问题

lengyuewusheng · 发表于 2021-1-20 16:13:59

求助：load switch负载为电阻丝，测试短路启动性能时，每次触发保护关闭MOS管过程中管子会烧掉，开盖去层发现是NMOS管自身源漏极处烧坏。原理及测试结果如下图：

绿色为流过电阻的电流，黄色为电池电压，蓝色NMOS源端电压

寂寞的歌 · 发表于 2021-1-20 19:34:03

这种hard short的电路应该有特殊处理，出发保护以后不能关断太快，否则会有很大的电压spike，导致管子损坏

lengyuewusheng · 发表于 2021-1-20 19:53:32

寂寞的歌发表于 2021-1-20 19:34
这种hard short的电路应该有特殊处理，出发保护以后不能关断太快，否则会有很大的电压spike，导致管子损坏 ...

如果关断太慢的话，中间一段时间管子处于饱和区，电流会超级大，应该也会导致管子烧掉吧

寂寞的歌 · 发表于 2021-1-20 21:47:14

这个关断时间应该是几百纳秒级别的，不会太久，不至于烧坏

peterlin2010 · 发表于 2021-1-20 22:41:22

MOS 一般的BREAKDOWN 都说OFF , off breakdown
但是有 ON breakdown .

可能是 turn ON mos 跨压太高了.
一般都不会写, 一般都认为MOS ON 跨压会低..但是实际看应用.

a12349221 · 发表于 2021-1-20 22:47:00

這種電壓設置可能只有flash承受的了，
nmos越小直接燒壞很正常，
DGSB幾乎全部都是高電壓高電流，
反而比較想問為什麼不是用pmos管?

a12349221 · 发表于 2021-1-20 22:49:34

管子導通後，四處都是高電流，一定容易燒壞吧？
反而比較好奇怎不用pmos管?

lengyuewusheng · 发表于 2021-1-21 09:33:41

寂寞的歌发表于 2021-1-20 21:47
这个关断时间应该是几百纳秒级别的，不会太久，不至于烧坏

现在大约是1us关断，会烧坏

lengyuewusheng · 发表于 2021-1-21 09:36:28

a12349221 发表于 2021-1-20 22:47
這種電壓設置可能只有flash承受的了，
nmos越小直接燒壞很正常，
DGSB幾乎全部都是高電壓高電流，

PMOS面积要大很多，常规应用时电阻负载是欧姆级的，电流不会很大，触发短路保护才会烧片

xianwu_hs · 发表于 2021-1-21 10:02:47

学习下

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