如何评估SAB ESD管子的驱动能力？

aqishisi · 发表于 2021-1-14 20:17:14

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用ESD rule画的PMOS和NMOS做输出IO，需要加SAB层。那加上SAB后，model里并没有SAB的model，怎么估计它的驱动能力呢？

peterlin2010 · 发表于 2021-1-14 21:05:04

模拟ESD 很难, 连TCAD SIM 都还是有差 . 一般拉开drain-cont space or SAB 习惯会 "串R" , 但, 取多少 ? 难说 , 最简单就是 ESD DEIVCE 分串R , 加SAB 跟没有 , 下TEST KEY 回来量就知道 .

demonhunter · 发表于 2021-1-15 09:51:26

驱动能力变差，变差多少和版图密切相关。

hitzhabc · 发表于 2021-1-15 10:26:08

如果要仿真的话，计算一下sab区域的电阻，加一个理想的电阻到电路里，近似等效。有的pdk做的不好，所以就没有esd器件的model，我觉得可能是foundry认为这个差别可以忽略吧。

aqishisi · 发表于 2021-1-15 10:39:30

peterlin2010 发表于 2021-1-14 21:05
模拟ESD 很难, 连TCAD SIM 都还是有差 . 一般拉开drain-cont space or SAB 习惯会 "串R" , 但, 取 ...

多谢回复！目前是需要做ECO，把ESD管来做driver，来增强驱动能力，没有条件来做这些testkey来验证了。但是不知道带SAB的ESD管驱动能力到底减弱多少。

aqishisi · 发表于 2021-1-15 10:59:49

demonhunter 发表于 2021-1-15 09:51
驱动能力变差，变差多少和版图密切相关。

你好，能说一下典型情况下，会变差多少吗

Mia20181008 · 发表于 2021-8-14 17:45:44

你好，想请教一下，高压器件ESDMOS加SAB，比如两个MOS合并画，那么覆盖的SAB尺寸是通过什么决定的呢？两个gate之间的距离要拉多宽？从基础库调出来的高压器件可以直接使用吗？我们都是重新画ESD做法的高压器件，但是我对SAB这个覆盖范围一直都很疑惑，好像也没什么rule可以验证

画版图的小W · 发表于 2023-8-9 11:50:51

Mia20181008 发表于 2021-8-14 17:45
你好，想请教一下，高压器件ESDMOS加SAB，比如两个MOS合并画，那么覆盖的SAB尺寸是通过什么决定的呢？两个g ...

请问这个问题得到解决了吗

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