ESD管子承受电压

幽子羽

最近小弟在看ESD相关的资料，有些疑问，还望大佬们能够不吝赐教1、对于ESD来说，它的保护器件必须能够承受很大的电压值，比如2kv,那么一个管子的耐压能够达到那么高吗？有的是几个串联，但是即使这样要求每个管子承受的电压也得几百啊，这个怎么去理解？尤其在输出端时，就是直接利用驱动管子当作ESD保护器件，那这样的话，不会对驱动管子造成击穿么
2、对于电平位移电路中的ESD电路，怎么去分析，或者说在不同电源之间的ESD保护该怎么设计？

andyfan

HBM的2KV是标准定义的，不是保护真正承受的电压；你可以简单理解为HBM模型中的电容充电到2KV后，积累的电荷，然后向ESD电路放电。MM同理，所以才一个是2000V，而一个是200V.

你对整个ESD的理解都出现了偏差，ESD保护电路不是承受2KV的电压，而是在哪个标准下，能在一定的时间内泄放掉对应的电流（也就是把积累的电荷泄放掉），HBM和MM对应的时间和最大电流是不一样的。

幽子羽

andyfan 发表于 2020-12-23 10:32
HBM的2KV是标准定义的，不是保护真正承受的电压；你可以简单理解为HBM模型中的电容充电到2KV后，积累的电荷 ...

“电容充电到2KV后，积累的电荷，然后向ESD电路放电。MM同理，所以才一个是2000V，而一个是200V.”
我得理解是电容充电后电压升到了2KV，那释放时电压好像还是2KV。。。我不是特别懂，还望大佬能帮忙说仔细点

andyfan

幽子羽 发表于 2020-12-23 10:46
“电容充电到2KV后，积累的电荷，然后向ESD电路放电。MM同理，所以才一个是2000V，而一个是200V.”
我得 ...

电压会直接跳到2000V么，哪怕你一端是2000V的恒定电压，接到另外一个器件上，也是需要时间的，实际加到2000V，也是需要时间的，只要有容性负载。
而一个电容，在这个时间内，只要把电荷泄露掉，电压就累计不上去。


你需要好好复习下基本的电路分析。

幽子羽

andyfan 发表于 2020-12-23 11:05
电压会直接跳到2000V么，哪怕你一端是2000V的恒定电压，接到另外一个器件上，也是需要时间的，实际加到20 ...

原来如此，懂了懂了，谢谢谢谢之前一直只关注电压的变化，忽视了最原始的因素。十分感谢大佬耐心的指导

student321

kaknan

qinyuwenzhu

NMOS会形成寄生NPN，把电压钳位住，也就是10V左右的电压，要看工艺的，但是1.3A的电流还是有的，泄放掉就好了