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[资讯] 硅光电倍增管实现技术突破

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发表于 2020-12-3 16:32:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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随着智能化的推进,光检测和测距或激光雷达的应用在所有领域都在不断发展。很多行业对于该技术的要求越来越高,技术不断革新。

为了能够推动高效能发展,安森美半导体推出硅光电倍增管 (SiPM) 技术实现的单点直接飞行时间 (dToF) 的激光雷达方案,为客户科技发展提供大力支持。

现在常用的激光雷达方案,通常基于dToF方法,测量通常在近红外 (NIR) 波长范围内的一个光脉冲往返于一个物体所需的时间,并通过对比数据来进行检测或感知。虽然原理简单,但是由于外部可观条件例如太阳光强光、干扰信号等,往往会直接影响到接受器,对捕捉信号的响应时间和灵敏度产生影响。安森美半导体为突破这一屏障,开发硅光电倍增管 (SiPM) 传感器,高效提升了响应时间,增强灵敏度,弥补传统技术的不足。

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在安森美半导体第二代SiPM 传感器RB系列中,不仅在在红色和NIR范围都带来更高的性能,更加方便客户的研发使用;而且平台成本更低,灵活性更大;同时提供该参考平台的所有设计数据,涵盖原理图、物料单 (BoM) 、gerber文件和PCB设计文件等。对于客户而言,无论从研发时间、使用成本,还是从开发技术、实验数据等方面都提供有效保障。

目前,硅光电倍增管技术已经受到国内外一致认证,随着这一技术的不断普及,并且各种条件的不断满足,不久的将来,该技术将会被应用于更多的领域中。
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