VCO中的粗调阵列开关电容，为啥要在开关DS加和开关G反相的信号啊

kanon0530

就是那种两边cmim电容，中间开关的结构。中间开关被劈成两边，G接VS, D和St通过两个挺大的电阻接nVS。
如果我不接nVS，那么开的时候就是ron串两个电容cmim；关就是两个cmim串一个寄生电容不知道到哪儿。
我接了nVS，开应该还是ron串2*cmim；关就是两个cmim串挺大的电阻？这不会拉低Q吗？
类似下图这种。

kanon0530

？我的图呢？

kanon0530

哦好像懂了，如果我不对开关的DS端做直流电位处理，它关了的时候，DS端的电压会形成一个寄生电容和cmim电容的分压，随着DS电压的变化，开关的寄生电容也会跟着变？那整个Tank的总电容会受到影响，震荡频率会漂移。

如果我做了DS端的直流处理就没有这个问题了，而且也不能说大电阻会影响Q值，首先如果不接DS端的直流，相当于一个Roff加两端寄生串cmim，Roff可比大电阻大多了；其次刚才没考虑到两端寄生还在呢，大电阻先跟它并联再跟cmim串联，可能也许大概阻值选的合适的话Q值也没啥影响。

tianruozhou

一个人的武林。

大雄鸣人

kanon0530 发表于 2020-11-27 11:58
哦好像懂了，如果我不对开关的DS端做直流电位处理，它关了的时候，DS端的电压会形成一个寄生电容和cmim电容 ...

寄生电容很小，这应该不是主要原因吧，定性的看，是想让管子的开断性能更好？

5723

楼主分析的很好

lgx0803

您好，我想请问一下，为什么我用了和您图中所示同样的结构（Vs是控制电压），但是电容无法算在LC谐振腔内，也就是Vs为高电平时对整体的谐振频率没有影响，低电平也同样没有影响，mos管开关的宽长比设置的是5：1，能否赐教