讨论关于分立器件WLCSP封装的解决方案

newbie11 · 发表于 2020-10-20 10:26:53

IC器件大多为平面器件，芯片背面是没有电极的，用WLCSP封装不用考虑背面互连的问题。
但是对于器件来讲，比如Si MOS芯片背面是D极，封装后D极必须引到与S,G共面，所以面临背面互连的问题。

目前了解的有芯片端的TSV以及封装端Laser Via+Sputter工艺，这两种工艺所面临的工艺难点有哪些？有哪些厂家做得比较好呢？

newbie11 · 发表于 2020-10-20 10:29:19

以及其它比较好的方案？及其工艺难点

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