请教EDR文档应该怎么看

LYS013 · 发表于 2020-9-24 17:26:10

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看了厂家的EDR之后，不知道这里面测试出来的参数有什么用，或者说应该怎么使用
下图是2.5V IO MOS的截图，还请有大神指导一下，谢谢啦

LYS013 · 发表于 2020-9-25 00:23:59

自己顶一下帖子，主要是想求助一下有经验的伙伴们，这个foundry的EDR应该怎么看和使用

LYS013 · 发表于 2020-9-28 01:09:19

再次顶一顶

andy2000a · 发表于 2020-9-28 08:56:07

EDR 就DEVICE 基本. 不外看 Vth, BV , Ids , 看leakage current Ioff.

你用新的project 电路上 VCC会多少应该有底该一般 cmos or BCD , 所以相对 mos 需多少vth , 须耐压bv 或高速电路会须看速度. 还有如电流要很大如 power driver 去看 Ion , 如果光 Ion差很多就需加大面积去补回来 .

很多A 工艺换 B 工艺 , 那就需比两边 EDR ..差太多可能调很累. 或特性差太多根本做不到 . 很多上头要省 cost 会说从 A厂换 B .如果差工艺光Ids小很多, 你 die会变大 . 你自己要反应问题 , 不合用就不要用. 否则最后怪 RD ..

LYS013 · 发表于 2020-9-28 23:59:01

andy2000a 发表于 2020-9-28 08:56
EDR 就DEVICE 基本. 不外看 Vth, BV , Ids , 看leakage current Ioff. 你用新的project 电路上 VCC会 ...

我不知道这样理解对不对？就是EDR基本上只用于需要换新工艺的时候与旧工艺的EDR作一个对比，如果我是全新设计，没有之前的参考，那是不是就没必要去看这个EDR呢？

peterlin2010 · 发表于 2022-9-16 07:21:40

LYS013 发表于 2020-9-28 23:59
我不知道这样理解对不对？就是EDR基本上只用于需要换新工艺的时候与旧工艺的EDR作一个对比，如果我是全 ...

不对吧. EDR 有BV 耐压

, 还有 BCD 设计会须要LDMOS得 rds_on .

有没有人知道 LDMOS 的 rds_on 是多少 vds ? 仿真出来??

MMMMMCCCCC · 发表于昨天 19:06

图里Ioff的单位pA/um是怎么理解？

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