GGNMOS的栅级电阻如何取值？

fengluan83 · 发表于 2020-9-19 14:10:10

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R是有个经验值，比如1K...？？
还是和Cgd，一起按照RC取值， RC等于多少？

以前一直用GGNMOS，看大家讨论加了R可以降低Vt1。

hitzhabc · 发表于 2020-9-19 15:24:04

这个常规值是20K或者40K。当你确定了GGNMOS的尺寸之后，这个电阻值越大，触发电压越低。好一点的工艺会给你一个具体的实验结果，差些的工艺你就加20K，一般够用。

mars0904 · 发表于 2020-10-14 13:40:15

这个电阻的阻值认为多少都可以。
不过你用于GGMOS的时候，当R过大的时候，其工作原理更近似GCMOS的工作原理，这个你可以去了解一下。这也就是为什么说R越大，一般vt1越低的原因。

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