Sentaurus 仿真GaN/InN器件

xiaoguan · 发表于 2020-9-16 10:28:38

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请教一下，最近在仿真GaN/InN异质结器件时遇到了两个问题：
1.在sde建立结构时，p型掺杂采用了镁Magnesium杂质，n型掺杂选择了nSilicon杂质。但是在跑器件仿真时（sdevice），p型掺杂没有加上，只有型掺杂；
2.在采用P型杂质pSilicon后，掺杂正常了，然后在sdevice中的物理模型中加入了压电极化模型，Piezoelectric_polarization (strain)，跑完后用svisual看tdr文件在GaN/InN界面并没有出现极化电荷。

大家又遇到类似的问题或者知道原因和解决方法吗。多谢多谢

[原创] Sentaurus 仿真GaN/InN器件

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